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FDPF5N50NZU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 30W(Tc) 25V 5V@ 250µA 12nC@ 10 V 1个N沟道 500V 2Ω@ 1.95A,10V 3.9A 485pF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: FL-FDPF5N50NZU
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF5N50NZU

FDPF5N50NZU概述


    产品简介


    FDPF5N50NZU:N-Channel UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET
    FDPF5N50NZU是一款高性能的N沟道UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET,主要用于高压电力转换应用。这款MOSFET基于先进的平面条纹技术和DMOS技术制造,具有极低的导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于LCD/LED电视、照明、不间断电源(UPS)以及AC-DC电源供应等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 500V
    - 栅源电压 (VGSS): ±25V
    - 持续漏电流 (ID): 3.9A(在25°C时)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 15A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 135mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 3.9A
    - 反复雪崩能量 (EAR): 7.8mJ
    - 峰值二极管恢复电压 (dv/dt): 20V/ns
    - 功率耗散 (PD): 30W
    - 最大引脚焊接温度 (TL): 300°C
    - 热阻 (RθJC): 4.1°C/W
    - 环境热阻 (RθJA): 62.5°C/W
    - 工作环境
    - 操作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 1.7Ω(典型值),栅极电荷 (Qg(tot)): 9nC(典型值)
    - 低栅极电荷 和 低反向传输电容 (Crss): 4pF(典型值)
    - 100% 雪崩测试,符合RoHS标准
    - 改进的dv/dt能力 和 增强的ESD保护
    - 卓越的反向恢复性能:trr < 50ns,反向dv/dt 免疫力: 20V/ns
    - 小型化 和 轻量化

    应用案例和使用建议


    - LCD/LED电视: FDPF5N50NZU适用于高压直流到交流转换电路,例如用于背光驱动。
    - 照明: 在需要高效功率转换的照明系统中表现优秀,特别是用于驱动LED灯。
    - 不间断电源 (UPS): 作为开关电源的核心组件,确保稳定的电力输出。
    - AC-DC电源供应: 在电源转换过程中,该MOSFET能够提供高效率的电力转换。
    使用建议:
    - 温度管理: 由于该MOSFET的最高连续工作温度为100°C,建议在设计散热系统时考虑额外的散热措施,以防止过热。
    - 保护电路: 为确保可靠运行,在电路中加入过压和过流保护措施。
    - 降噪处理: 为了减少EMI干扰,可以在电路中增加滤波器。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDPF5N50NZU与大多数常用的电子元器件和其他设备兼容。
    - 支持和维护: ON Semiconductor提供了详细的技术支持文档和售后服务,客户可以访问官方网站或联系技术支持获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET过热导致故障。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,添加散热片或者风扇以降低温度。
    2. 问题: 电路中出现电磁干扰。
    - 解决方案: 添加适当的滤波器和屏蔽措施,减少干扰。
    3. 问题: MOSFET的寿命较短。
    - 解决方案: 定期检查并维护电路,避免过载操作。

    总结和推荐


    FDPF5N50NZU是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和出色的反向恢复性能。它在各种应用中表现出色,特别适合用于高压电力转换和高可靠性要求的应用场合。考虑到其优越的性能和可靠性,强烈推荐使用该产品。

FDPF5N50NZU参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 485pF@25V
栅极电荷 12nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 1.95A,10V
最大功率耗散 30W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 3.9A
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDPF5N50NZU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF5N50NZU数据手册

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FDPF5N50NZU封装设计

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