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FDMC510P-F106

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.3W(Ta),41W(Tc) 8V 1V@ 250µA 116nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 8mΩ@ 12A,4.5V 12A,18A 7.86nF@10V DFN 贴片安装 3.3mm(长度)*3.3mm(宽度)
供应商型号: CY-FDMC510P-F106
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMC510P-F106

FDMC510P-F106概述

    FDMC510P P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    FDMC510P 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,采用先进的 POWERTRENCH® 工艺制造,以实现低导通电阻(rDS(on))和卓越的开关性能。该器件广泛应用于电池管理、负载开关等领域,适用于多种高功率和电流需求的应用场景。

    技术参数


    - 最大导通电阻(rDS(on)):在不同电压和电流条件下的 rDS(on) 如下:
    - VGS = -4.5 V, ID = -12 A: 8.0 mΩ
    - VGS = -2.5 V, ID = -10 A: 9.8 mΩ
    - VGS = -1.8 V, ID = -9.3 A: 13 mΩ
    - VGS = -1.5 V, ID = -8.3 A: 17 mΩ
    - 连续漏极电流(ID):-18 A
    - 击穿电压(BVDSS):-20 V
    - 门源漏电(IGSS):VGS = ±8 V, VDS = 0 V 时,≤ ±100 nA
    - 结温范围(TJ, TSTG):-55°C 到 +150°C
    - 热阻抗(RθJC 和 RθJA):分别为 3 °C/W 和 53 °C/W(当安装在 1 in² 2oz 铜箔上时)

    产品特点和优势


    1. 高性能的低 rDS(on):FDMC510P 的导通电阻低至 8.0 mΩ,保证了在不同条件下都能实现高效的电力传输。
    2. 高可靠性:具备 100% UIL 测试验证,确保每个器件都经过严格的质量检测。
    3. 高 ESD 能力:人体模型静电放电测试(HBM ESD)等级大于 2 kV,适用于各种需要抗静电干扰的应用环境。
    4. 无铅且环保:符合 RoHS 标准,无卤素,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    FDMC510P 广泛应用于电池管理系统和负载开关中。例如,在电池管理系统中,它可以用作充电器的开关元件,以高效控制充电过程;在负载开关中,可以用于电路的接通和断开操作。为了更好地利用这些优势,建议:
    - 在电池管理系统中,尽量保持 VGS 的负值稳定,以减小 rDS(on),从而降低功耗。
    - 在负载开关应用中,注意热管理,合理选择散热设计以避免器件过热。

    兼容性和支持


    - 封装:WDFN8 3.3x3.3, 0.65P(MLP 3.3x3.3)
    - 兼容性:适用于标准 PCB 设计,与同类 P-Channel MOSFET 相比,具有更好的散热性能。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,通过其官方网站和技术支持热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,是否需要增加散热片或优化布局。
    - 问题:静态导通电阻偏大。
    - 解决方案:检查门源电压是否设置正确,确保其满足 rDS(on) 最佳状态的要求。
    - 问题:器件失效。
    - 解决方案:确认是否超过器件的最大额定值,检查电源电路是否存在异常。

    总结和推荐


    FDMC510P P-Channel MOSFET 是一款出色的高性能器件,适合多种高功率应用,如电池管理和负载开关。凭借其低导通电阻、高可靠性和抗静电能力,使其在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐在需要高效率和稳定性的地方使用此器件。对于需要详细技术支持的用户,ON Semiconductor 提供全面的支持,帮助用户最大化地发挥该器件的性能。

FDMC510P-F106参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 12A,4.5V
Id-连续漏极电流 12A,18A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 2.3W(Ta),41W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.86nF@10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 116nC@ 4.5 V
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 3.3mm(长度)*3.3mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDMC510P-F106厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMC510P-F106数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMC510P-F106 FDMC510P-F106数据手册

FDMC510P-F106封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3447 ¥ 2.9665
500+ $ 0.3415 ¥ 2.9395
1000+ $ 0.3319 ¥ 2.8047
5000+ $ 0.3319 ¥ 2.8047
库存: 68930
起订量: 338 增量: 1
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最小起订量为:300
合计: ¥ 889.95
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