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FDG6332C-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mW 12V 1.5V@ 250µA 1.5nC@ 4.5V 2N+2P沟道 20V 300mΩ@ 700mA,4.5V 700mA,600mA 113pF@10V SC-70-6,SC-88 贴片安装 2mm*1.25mm*1.1mm
供应商型号: FDG6332C-F085
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDG6332C-F085

FDG6332C-F085概述


    产品简介


    FDG6332C-F085 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs 是一款高性能的双通道MOSFET,由ON Semiconductor(现为安森美)生产。这款器件结合了N通道和P通道,分别适用于不同的应用需求。主要功能包括低栅极电荷、高开关性能和极低的导通电阻(RDS(ON)),适合于负载开关和直流/交流转换器等领域。此外,该产品具有小巧的封装,仅为SC70-6,厚度仅有1mm,非常适合空间受限的应用场景。

    技术参数


    电气特性
    - 最大连续漏源电压:Q1 20V,Q2 -20V
    - 最大漏极电流:Q1 0.7A,Q2 -0.6A
    - 导通电阻:
    - Q1:VGS = 4.5V 时 RDS(ON) = 300mΩ,VGS = 2.5V 时 RDS(ON) = 400mΩ
    - Q2:VGS = -4.5V 时 RDS(ON) = 420mΩ,VGS = -2.5V 时 RDS(ON) = 630mΩ
    - 阈值电压:Q1 0.6V ~ 1.5V,Q2 -0.6V ~ -1.5V
    - 输入电容:Ciss 113pF (Q1),114pF (Q2)
    - 输出电容:Coss 34pF (Q1),24pF (Q2)
    - 反向传输电容:Crss 16pF (Q1),9pF (Q2)
    绝对最大额定值
    - 最高温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻:RθJA 415°C/W

    产品特点和优势


    FDG6332C-F085 具有以下独特的功能和优势:
    1. 高效能的Trench工艺:极低的导通电阻(RDS(ON)),显著降低功耗。
    2. 小型封装:SC70-6 封装的小尺寸,仅占传统封装一半的空间,适用于空间受限的应用场景。
    3. 高可靠性:符合AEC-Q101标准和RoHS规范,确保了产品的长期稳定性和环保性。
    4. 快速开关性能:低栅极电荷有助于快速切换,提升系统效率。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于直流/交流转换器和负载开关领域。在设计电源转换电路时,可以利用其低导通电阻和快速开关性能来提高整体系统的效率。对于具体应用中的最佳配置,建议在实际测试中根据负载条件调整栅极驱动电压和电流。

    兼容性和支持


    FDG6332C-F085 的SC70-6封装与多种电路板布局兼容,适合各种应用需求。安森美提供详尽的技术支持,包括数据表、应用指南和在线技术支持服务,帮助客户实现最佳的设计效果。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据负载条件选择合适的栅极驱动电压,通常VGS = 4.5V或VGS = 2.5V较为常用。参考电气特性中的RDS(ON)数据,可获得最优化的驱动电压。
    问题2:如何处理热管理问题?
    - 解决方案:建议使用大面积的散热器并结合适当的电路板设计来降低器件的温升。同时,参考数据表中的热阻数据(RθJA = 415°C/W),合理规划散热方案。

    总结和推荐


    FDG6332C-F085是一款高性能的双通道MOSFET,具备极低的导通电阻和快速的开关性能,特别适合应用于直流/交流转换器和负载开关等场景。其小巧的封装和高可靠性使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐使用此产品以实现高效的电力管理和良好的系统性能。
    对于需要进一步技术咨询的用户,建议联系安森美的技术支持团队获取更多帮助。

FDG6332C-F085参数

参数
配置
FET类型 2N+2P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 700mA,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 113pF@10V
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
栅极电荷 1.5nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 300mW
Id-连续漏极电流 700mA,600mA
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 2mm*1.25mm*1.1mm
通用封装 SC-70-6,SC-88
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDG6332C-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDG6332C-F085数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDG6332C-F085 FDG6332C-F085数据手册

FDG6332C-F085封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 5.49
500+ ¥ 5.4
1000+ ¥ 5.22
库存: 11999
起订量: 100 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 549
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