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NTMFS4C028NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.51W(Ta),25.5W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 22.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.73mΩ@ 30A,10V 16.4A,52A 1.252nF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4C028NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C028NT1G

NTMFS4C028NT1G概述


    产品简介


    NTMFS4C028N是一款单通道N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SO-8FL封装。其主要功能是用于直流到直流转换器和CPU电源管理等领域。这种类型的MOSFET具有低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,以减少导通损耗、驱动损耗和开关损耗。NTMFS4C028N采用无铅、无卤素材料制成,并符合RoHS标准。

    技术参数


    额定值
    - 漏源电压(VDSS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID):最大16.4A(环境温度25℃)
    - 最大功率耗散(PD):2.51W(环境温度25℃)
    电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):4.73mΩ@10V,7.0mΩ@4.5V
    - 输入电容(CISS):1252pF
    - 输出电容(COSS):610pF
    - 反向转移电容(CRSS):126pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):22.2nC(VGS=10V,VDS=15V)
    开关特性
    - 导通延时时间(td(ON)):7.0ns
    - 关断延时时间(td(OFF)):20ns
    - 上升时间(tr):28ns
    - 下降时间(tf):4.0ns

    产品特点和优势


    NTMFS4C028N的主要优势包括:
    - 低导通电阻(RDS(on)):可以显著降低导通损耗,提高效率。
    - 低电容:有助于减少驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷:有助于减少开关损耗。
    - 无铅、无卤素材料:环保且符合RoHS标准。
    - 高可靠性:在高温下仍能保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTMFS4C028N常用于CPU电源管理和DC-DC转换器。例如,在笔记本电脑或服务器的电源管理模块中,它能够高效地转换和分配电力,确保设备稳定运行。
    使用建议
    1. 散热设计:在实际应用中,由于连续漏电流较大,应确保有良好的散热设计,避免过热损坏。
    2. 电路布局:为了减少杂散电感和电容,建议采用短而宽的引脚布局,特别是在高频应用中。
    3. 保护措施:建议增加过压和过流保护电路,以防止瞬态电压导致损坏。

    兼容性和支持


    NTMFS4C028N与市面上大多数常用的电源管理芯片兼容,可以轻松集成到现有系统中。厂商提供全面的技术支持,包括在线文档、样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何确定NTMFS4C028N的最大电流?
    - A: 查看数据表中的“Maximum Ratings”,找到连续漏电流(ID)的额定值。在典型应用中,需要确保实际工作电流不超过额定值。
    2. Q:在高温环境下工作时,如何保证可靠性能?
    - A: 在高温环境下,导通电阻会增加,可以通过优化散热设计来降低温升,同时在设计时选择合适的散热器和冷却方式。
    3. Q:如何测试栅极电荷(QG(TOT))?
    - A: 使用示波器测量总栅极电荷,通常在驱动器和门极之间进行测试。根据数据表中的典型值进行比较,确保符合要求。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS4C028N是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适用于CPU电源管理和DC-DC转换器。其低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷使其成为高效的电源管理解决方案。推荐在需要高效、稳定电源管理的应用中使用该产品。用户应根据实际应用场景进行详细的电路设计和散热设计,以充分发挥其性能。

NTMFS4C028NT1G参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.252nF@15V
栅极电荷 22.2nC@ 10 V
最大功率耗散 2.51W(Ta),25.5W(Tc)
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.73mΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 16.4A,52A
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C028NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C028NT1G数据手册

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