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NTMFS4C35NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 780mW(Ta),33W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 15nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 3.2mΩ@ 30A,10V 12.4A 2.3nF@15V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4C35NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C35NT1G

NTMFS4C35NT1G概述

    NTMFS4C35N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMFS4C35N 是一款单通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SO-8 平面封装。它具有低导通电阻 (RDS(on))、低电容和优化的栅极电荷等特点,主要用于 CPU 电源管理和 DC-DC 转换器等领域。其主要功能是通过降低开关和传导损耗来提高电路效率,适用于高频率和高功率密度的应用场景。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 22.5 A (TA = 25°C),16.8 A (TA = 80°C)
    - 功率耗散 (PD): 2.59 W (TA = 25°C),6.65 W (TA ≤ 10 s, TA = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 180 A (tp = 10 μs)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 3.2 mΩ @ 10 V, 4.0 mΩ @ 4.5 V
    - 输入电容 (CISS): 2300 pF
    - 输出电容 (COSS): 1097 pF
    - 门限电压 (VGS(TH)): 1.3 ~ 2.2 V
    - 热阻抗
    - 结到外壳热阻 (RJC): 3.8 °C/W
    - 结到环境热阻 (RJA): 48.3 °C/W (稳态),18.8 °C/W (t ≤ 10 s)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 低至 2.56 mΩ,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
    2. 低电容: CISS 和 COSS 较低,能有效降低驱动损耗,适合高频应用。
    3. 优化的栅极电荷 (QG(TOT)): 有助于减少开关损耗,提高开关速度。
    4. 无铅、无卤化物、RoHS 合规: 环保特性符合国际标准,适用于环保要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - CPU 电源管理: 在 CPU 电源管理系统中,NTMFS4C35N 可以作为降压转换器的主控 MOSFET,有效提高系统的效率。
    - DC-DC 转换器: 适用于各种 DC-DC 转换器,如点电源模块和电池充电器等,能够提供快速响应和低损耗的开关特性。

    使用建议:
    - 使用时应注意保持工作温度在额定范围内,避免过热导致的损坏。
    - 在高功率应用中,应考虑散热措施,如增加散热片或使用散热器,以保证长时间稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NTMFS4C35N 与大多数标准 SO-8 封装的 PCB 兼容,可以方便地进行替换。
    - 支持: 供应商提供详细的文档和技术支持,包括产品数据表、应用笔记和常见问题解答等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查栅极电阻 (RG) 设置是否合适,可适当减小 RG 以提高开关速度。
    2. 问题: 散热不良。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如增加散热片或使用散热器。
    3. 问题: 开关噪声大。
    - 解决方案: 添加适当的栅极去耦电容,减少振铃现象。

    总结和推荐


    NTMFS4C35N 是一款高效、高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷等特点。在 CPU 电源管理和 DC-DC 转换器等领域表现出色,非常适合用于需要高效率和高频应用的场合。总体来说,我们强烈推荐此款产品用于相关应用场景。

NTMFS4C35NT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 780mW(Ta),33W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@ 30A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
栅极电荷 15nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.3nF@15V
Id-连续漏极电流 12.4A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C35NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C35NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C35NT1G NTMFS4C35NT1G数据手册

NTMFS4C35NT1G封装设计

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