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FDT86106LZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 3.2 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UNP-FDT86106LZ
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDT86106LZ

FDT86106LZ概述

    FDT86106LZ MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDT86106LZ 是一款 N-Channel 逻辑电平 MOSFET,由 onsemi 使用先进的 POWERTRENCH 工艺制造。这种工艺旨在最大限度地降低导通电阻(rDS(on)),同时保持卓越的开关性能。此外,产品还集成了 G-S 二极管以增强 ESD 电压等级。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS):100 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):3.2 A (TA = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):12 mJ
    - 最大耗散功率 (PD):2.2 W (TA = 25°C),1.0 W (TA = 25°C)
    - 工作及存储温度范围 (TJ, TSTG):−55°C 到 +150°C
    - 热特性
    - 热阻 (RJC):12°C/W
    - 热阻 (RJA):55°C/W
    - 开关特性
    - 导通延迟时间 (td(on)):3.8 ns 至 10 ns
    - 上升时间 (tr):1.3 ns 至 10 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):10 ns 至 20 ns
    - 下降时间 (tf):1.5 ns 至 10 ns
    - 电气特性
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 3.2 A:108 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A:153 mΩ

    3. 产品特点和优势


    - 高性能沟槽技术:实现了极低的导通电阻 (rDS(on))。
    - 高功率和电流处理能力:采用广泛使用的表面贴装封装。
    - 高静电放电保护水平:HBM ESD 保护水平 > 3 kV(典型值)。
    - 无铅、无卤素、RoHS 合规:符合环保要求。
    - 全面测试:所有产品都经过 100% 额定应力测试。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:主要应用于直流-直流转换器 (DC-DC Conversion)。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,考虑其最高额定电压 (100 V) 和最大电流 (3.2 A) 的限制。
    - 使用适当的 PCB 设计来提高散热效果,确保 RJA 低于 55°C/W。
    - 在高频应用中,考虑其开关特性的具体参数,如 td(on) 和 tr。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛的 PCB 设计,支持表面贴装。
    - 支持信息:可以通过 onsemi 官方网站获取技术支持文档和技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:无法实现预期的电流处理能力
    - 解决方案:检查电路的设计,确保 PCB 布局合理,并且没有过大的寄生电感。
    - 问题2:温度过高导致失效
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用更大的散热片或者改进 PCB 散热设计。
    - 问题3:开关速度不符合预期
    - 解决方案:检查驱动信号的质量,确保其有足够的幅值和速度。

    7. 总结和推荐


    FDT86106LZ MOSFET 在其应用领域表现出了卓越的性能和可靠性。它具备高性能的沟槽技术,能处理高功率和大电流,并具有优秀的热管理和 ESD 保护。对于需要高效和可靠的直流-直流转换应用,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。此外,其全面的测试和环保合规性也使其成为理想的选择。

FDT86106LZ参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
最大功率耗散 2.2W(Ta)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 108mΩ@ 3.2A,10V
配置 独立式
栅极电荷 7nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 315pF@50V
Id-连续漏极电流 3.2A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.8mm
通用封装 SOT-223-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDT86106LZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDT86106LZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDT86106LZ FDT86106LZ数据手册

FDT86106LZ封装设计

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