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NVD5C464NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1个N沟道 40V DPAK-3 贴片安装
供应商型号: FL-NVD5C464NLT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5C464NLT4G

NVD5C464NLT4G概述

    # 产品技术手册:NVD5C464NL Power MOSFET

    1. 产品简介


    NVD5C464NL是一款由Semiconductor Components Industries设计和制造的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品主要用于降低导通损耗和驱动损耗,具有低电阻率(RDS(on))和快速开关速度。广泛应用于汽车、工业控制、电源管理等领域,满足AEC-Q101标准并具备PPAP生产能力。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDSS):40 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):64 A(TC = 25°C),45 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):340 A(tp = 10 µs)
    - 最大结温(TJ):-55°C 至 175°C
    - 封装热阻(RJC):3.76 °C/W
    - 结到环境热阻(RJA):48 °C/W
    - 引脚分配:Gate(1)、Drain(2 和 4)、Source(3)
    - 电气特性
    - 关态特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):40 V
    - 漏源击穿电压温度系数(V(BR)DSS/TJ):26 mV/°C
    - 零栅源漏电流(IDSS):10 µA(TJ = 25°C),250 µA(TJ = 125°C)

    - 通态特性
    - 栅阈值电压(VGS(TH)):1.2 V 至 2.2 V
    - 导通电阻(RDS(on)):4.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 30 A)
    - 转导电导(gFS):74 S
    - 输入电容(Ciss):1600 pF
    - 输出电容(Coss):600 pF
    - 反向转移电容(Crss):34 pF
    - 总栅电荷(QG(TOT)):27 nC(VGS = 10 V,VDS = 32 V,ID = 30 A)
    - 开关特性
    - 开启延迟时间(td(on)):11 ns
    - 上升时间(tr):38 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):50 ns
    - 下降时间(tf):16 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) = 4.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 30 A),能显著降低导通损耗。
    - 快速开关特性:开关延迟时间短,适用于高频开关应用。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,并且是无铅、无卤素、BFR-free、RoHS合规的产品。
    - 宽工作温度范围:可承受极端环境条件下的使用需求。
    - 高可靠性认证:通过AEC-Q101认证并具备PPAP生产能力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    NVD5C464NL主要应用于汽车电子、工业控制和电源管理领域。例如,它可用于电动车辆的电机控制器、光伏逆变器、不间断电源系统(UPS)和交流直流转换器等。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,建议在电路设计中考虑额外的散热措施,以保证最佳性能。
    - 当需要进行大电流切换时,注意确保电路板有足够的散热能力。
    - 选择合适的栅极驱动器以减少栅极充电时间,从而提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    NVD5C464NL与其他常见的MOSFET产品兼容,支持标准的焊接工艺。供应商提供了详细的文档和技术支持服务,包括在线技术支持和用户社区论坛。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:启动时出现过高的栅极电压波动。
    解决方案:检查电路中是否有噪声源,并增加滤波电容以稳定栅极电压。
    问题2:工作温度过高导致性能下降。
    解决方案:优化散热设计,增加散热片或强制冷却措施,确保器件在正常温度范围内工作。
    问题3:栅极驱动信号不稳定。
    解决方案:确保栅极驱动信号的强度足够,且驱动器的输出阻抗与MOSFET的输入阻抗匹配良好。

    7. 总结和推荐


    NVD5C464NL凭借其出色的低导通电阻、快速开关特性和宽工作温度范围,在各种高压和大电流应用中表现出色。特别是其高性能和可靠性的结合,使其成为众多工业和汽车应用的理想选择。我们强烈推荐在类似应用场景中采用此产品。

NVD5C464NLT4G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVD5C464NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5C464NLT4G数据手册

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NVD5C464NLT4G封装设计

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