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EFC2K107NUZTCG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.3V@1mA 30nC@ 3.8V 2个N沟道 12V 2.85mΩ@ 5A,4.5V 20A WLCSOP-10 贴片安装
供应商型号: FL-EFC2K107NUZTCG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) EFC2K107NUZTCG

EFC2K107NUZTCG概述

    MOSFET – Power, Dual, N-Channel, for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection

    1. 产品简介


    产品类型:双N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:用于便携式机器的电源开关,特别适用于1-电池锂离子电池保护。
    应用领域:1-电池锂离子电池充电和放电开关。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 源极到源极电压 \( V{SSS} \):12 V
    - 栅极到源极电压 \( V{GSS} \):±8 V
    - 源极电流(直流) \( IS \):20 A
    - 源极电流(脉冲) \( I{SP} \):80 A (脉宽≤10 μs,占空比≤1%)
    - 总耗散功率(注意1) \( PT \):1.8 W
    - 结温 \( Tj \):150°C
    - 存储温度 \( T{stg} \):-55°C 到 +150°C
    热阻
    - 结到环境 \( R{\theta JA} \):69.4°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 \( V(BR){SSS} \):12 V
    - 零栅源电流 \( I{SSS} \):1 μA
    - 栅源漏电流 \( I{GSS} \):±1 μA
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \):0.4 V 至 1.3 V
    - 静态源极到源极导通电阻 \( R{SS(on)} \):2.85 mΩ @ 4.5 V,2.5 mΩ @ 3.8 V,3.1 mΩ @ 3.1 V,6.8 mΩ @ 2.5 V
    - 开启延时时间 \( td(on) \):11 μs
    - 上升时间 \( tr \):36 μs
    - 关闭延时时间 \( td(off) \):95 μs
    - 下降时间 \( tf \):70 μs
    - 总栅极电荷 \( Qg \):30 nC
    - 源极到源极正向电压 \( VF(S-S) \):0.75 V 至 1.2 V

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:具有较低的 \( R{SS(on)} \),使得功耗更小,效率更高。
    - 驱动电压低:只需要2.5 V的驱动电压,适配性更强。
    - 全封闭设计:ESD二极管保护栅极,增强抗静电能力。
    - 无铅、无卤素、RoHS合规:符合环保要求,更加安全可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    这款MOSFET广泛应用于便携式设备中的1-电池锂离子电池充电和放电开关。例如,在智能手机、平板电脑等移动设备中作为电池保护电路的一部分。
    使用建议:
    - 选择合适的驱动电压:确保驱动电压在2.5 V至4.5 V之间,以确保最佳性能。
    - 散热设计:由于总耗散功率为1.8 W,需要良好的散热措施来保持正常工作温度。
    - 环境适应性:确保工作环境温度不超过150°C,存储温度在-55°C至+150°C范围内。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准焊接工艺,具体包装形式见订购信息。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和技术支持,可通过电话或邮件联系获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择正确的驱动电压?
    解决方案:建议使用4.5 V至2.5 V之间的电压,具体取决于所需的电流和开关速度。
    - 问题2:如何保证MOSFET的散热效果?
    解决方案:确保安装在良好的散热基板上,并采用合适的散热措施,如增加散热片或使用散热胶。
    - 问题3:如何处理过压情况?
    解决方案:建议使用外部稳压器或保险丝来防止过压损坏。

    7. 总结和推荐


    总结:这款双N沟道MOSFET具有低导通电阻、驱动电压低、封装紧凑等特点,非常适合便携式设备中的锂离子电池保护应用。其出色的热稳定性和ESD防护能力使其成为高可靠性系统的理想选择。
    推荐:强烈推荐使用此款MOSFET应用于便携式设备的锂离子电池保护电路,特别是在需要低功耗和高可靠性的场合。

EFC2K107NUZTCG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.85mΩ@ 5A,4.5V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 30nC@ 3.8V
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 12V
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@1mA
通用封装 WLCSOP-10
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

EFC2K107NUZTCG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

EFC2K107NUZTCG数据手册

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EFC2K107NUZTCG封装设计

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