处理中...

首页  >  产品百科  >  FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=100 V, 15.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FQD19N10LTM
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD19N10LTM

FQD19N10LTM概述

    FQD19N10L MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD19N10L 是一种采用 onsemi 自主研发的平面条纹和 DMOS 技术制造的 N-Channel 增强模式功率 MOSFET。这种先进的 MOSFET 技术专为降低导通电阻(RDS(on))并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度而设计。它广泛应用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 持续漏电流(ID):15.6 A(TC = 25°C),9.8 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):62.4 A
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):220 mJ
    - 雪崩电流(IAR):15.6 A
    - 重复雪崩能量(EAR):5.0 mJ
    - 最大功率耗散(PD):50 W(TC = 25°C),2.5 W(TA = 25°C)
    - 电气特性:
    - 门阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 2.0 V
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值 100 mΩ(VGS = 10 V, ID = 7.8 A)
    - 前向跨导(gFS):典型值 14 S
    - 输入电容(Ciss):最大值 870 pF
    - 输出电容(Coss):最大值 210 pF
    - 反向转移电容(Crss):最大值 45 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最大值 100 mΩ(VGS = 10 V, ID = 7.8 A),显著降低损耗。
    - 低栅极电荷:典型值 14 nC,减少开关损耗。
    - 高雪崩能量强度:支持单脉冲雪崩能量达 220 mJ,确保在极端条件下的可靠性。
    - 低交叉电容:典型值 35 pF,提高开关速度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源:适合用于高效率的开关电源转换器,减少热耗。
    - 音频放大器:提供稳定的输出电流和高效率,减少噪音。
    - 直流电机控制:适用于需要高精度控制的应用。
    - 使用建议:
    - 电路设计:在设计电路时应考虑散热管理,确保器件正常工作。
    - 测试验证:使用测试波形进行实际测试,确保符合应用要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 与其他标准电路板设计兼容,适合多种应用场景。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和在线支持,帮助用户解决应用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:漏电流过大
    - 解决方法:检查栅极-源极电压(VGS),确保不超过 20 V。
    - 问题2:导通电阻过高
    - 解决方法:确认器件是否按正确方式安装,检查焊接点是否有问题。
    - 问题3:雪崩能量不足
    - 解决方法:增加散热措施,确保器件在正常温度范围内工作。

    7. 总结和推荐


    FQD19N10L MOSFET 在多个方面表现出色,特别是在低导通电阻、高雪崩能量强度和低栅极电荷方面。它非常适合于开关电源、音频放大器和直流电机控制等应用。总体而言,这款产品在性能和可靠性上都表现出色,强烈推荐使用。

FQD19N10LTM参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 18nC@ 5 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 7.8A,10V
最大功率耗散 2.5W(Ta),50W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 870pF@25V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 15.6A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FQD19N10LTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD19N10LTM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD19N10LTM FQD19N10LTM数据手册

FQD19N10LTM封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.8624
5000+ ¥ 2.7937
10000+ ¥ 2.7021
20000+ ¥ 2.6563
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 7156
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336