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NTMFS4C027NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.51W(Ta),25.5W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 18.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.8mΩ@ 18A,10V 16.4A,52A 1.67nF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NTMFS4C027NT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C027NT1G

NTMFS4C027NT1G概述


    产品简介


    NTMFS4C027N MOSFET - Power, Single N-Channel, SO-8FL
    NTMFS4C027N 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,专为高效率电力传输而设计。该产品采用SO-8FL封装形式,具有较低的导通电阻(RDS(on))和较优的开关性能。NTMFS4C027N 主要用于CPU电源管理和DC-DC转换器等领域,能显著降低电路中的损耗,提高整体系统效率。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 30 | V |
    | 漏源峰值脉冲电流 | IDM | 144 | A |
    | 持续漏极电流 (稳态) | ID | 16.4 | A |
    | 电源功耗 (稳态) | PD | 2.51 | W |
    | 最大栅极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 栅极阈值电压 (典型) | VGS(TH) | 1.3 - 2.1 | V |
    | 导通电阻 (典型) | RDS(on) | 4.8 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 1113 - 1670 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 702 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | 39 | pF |
    | 栅极总电荷 | QG(TOT) | 8.4 | nC |

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):NTMFS4C027N 具有非常低的导通电阻,能够显著减少导通时的能量损耗。
    - 低栅极电荷:优化后的栅极电荷进一步降低了开关过程中的能量损耗,提高了系统的整体效率。
    - 高可靠性:该器件无铅、无卤素且符合RoHS标准,能够在各种极端条件下稳定运行。
    - 出色的热性能:即使在高温环境下,该MOSFET仍能保持良好的性能,适用于多种复杂的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - CPU电源管理:NTMFS4C027N 非常适合用于CPU电源管理,能够实现高效的电源分配,提升计算机的整体性能。
    - DC-DC转换器:该器件在高频DC-DC转换器中表现优异,能够提供稳定的输出电压,确保系统的可靠性和稳定性。
    使用建议
    - 散热管理:由于其优秀的热性能,但为了达到最佳性能,在使用过程中应注意散热管理,以避免过热现象。
    - 驱动电路设计:针对不同的应用场景,可以通过调整栅极电阻来优化开关速度和能耗,从而进一步提高系统效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS4C027N 支持多种标准接口,易于集成到现有系统中。同时,该产品与其他电子元件具有良好的兼容性。
    - 支持服务:厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以随时获取技术支持,确保设备的最佳性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 适当减小栅极电阻,调整驱动电路,优化散热设计 |
    | 导通电阻增加 | 检查焊接质量,确认是否有虚焊,检查安装环境温度 |
    | 系统启动时无法正常工作 | 检查系统电源电压是否稳定,确认栅极驱动信号正常 |

    总结和推荐


    NTMFS4C027N 是一款高度可靠的N沟道增强型功率MOSFET,特别适用于CPU电源管理和DC-DC转换器等应用场景。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷以及高可靠性等特点,有助于提高系统效率和稳定性。综合考虑其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐在相关的电力电子应用中使用该产品。

NTMFS4C027NT1G参数

参数
栅极电荷 18.2nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.51W(Ta),25.5W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.67nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 16.4A,52A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8mΩ@ 18A,10V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C027NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C027NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C027NT1G NTMFS4C027NT1G数据手册

NTMFS4C027NT1G封装设计

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