处理中...

首页  >  产品百科  >  FCP11N60N

FCP11N60N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 94W(Tc) 30V 4V@ 250µA 35.6nC@ 10V 1个N沟道 600V 299mΩ@ 5.4A,10V 10.8A 1.505nF@100V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: FL-FCP11N60N
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCP11N60N

FCP11N60N概述

    FCP11N60N / FCPF11N60NT — N-Channel SupreMOS® MOSFET

    产品简介


    FCP11N60N 和 FCPF11N60NT 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的 N-Channel SupreMOS® 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种先进的 MOSFET 主要应用于高频开关电源转换器,例如电源因子校正(PFC)、服务器/电信电源、平面显示器(FPD)电视电源、ATX 电源以及工业电源等领域。这类产品因其出色的性能和高效能而广泛应用于液晶显示(LCD)、发光二极管(LED)和等离子显示面板(PDP)电视的电源管理、照明系统、太阳能逆变器和交流直流电源适配器。

    技术参数


    FCP11N60N / FCPF11N60NT 的技术参数如下:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DSS}\):600 V
    - 最大栅源电压 \(V{GSS}\):±30 V
    - 漏极连续电流 \(ID\)(在 25℃时):10.8 A
    - 漏极脉冲电流 \(I{DM}\):32.4 A
    - 电阻参数:
    - 典型导通电阻 \(R{DS(on)}\)(在 10 V 栅源电压和 5.4 A 漏极电流时):255 mΩ
    - 电气特性:
    - 有效输出电容 \(C{oss(eff)}\):130 pF
    - 总栅极电荷 \(Q{g(tot)}\):27.4 nC
    - 工作环境:
    - 运行和存储温度范围 \(-55^{\circ}C\) 至 \(+150^{\circ}C\)
    - 最高引脚焊接温度(距离外壳1/8英寸,持续5秒):300 ℃
    - 热阻:
    - 结到外壳热阻 \(R{θJC}\)(最大值):1.33 ℃/W
    - 结到环境热阻 \(R{θJA}\)(最大值):62.5 ℃/W

    产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:典型栅极电荷 \(Qg\) 为 27.4 nC,有助于降低开关损耗。
    - 低有效输出电容:典型输出电容 \(C{oss(eff)}\) 为 130 pF,有助于提高频率响应。
    - 100% 雪崩测试:保证了卓越的稳健性。
    - RoHS 合规:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    FCP11N60N / FCPF11N60NT 主要应用于 LCD/LED/PDP 电视、照明系统、太阳能逆变器和交流直流电源适配器等设备。这些应用领域对高性能、高效率的 MOSFET 有着强烈的需求。
    使用建议:
    1. 在选择 MOSFET 时,需要根据具体的应用需求来考虑电压和电流的匹配。
    2. 在高频应用中,应注意寄生电容的影响,合理设计 PCB 布局以减少寄生效应。
    3. 定期检查和维护电路,确保 MOSFET 工作在安全范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FCP11N60N 和 FCPF11N60NT 可以与其他标准电源组件一起使用,适用于各种电源管理系统。
    - 支持:Fairchild Semiconductor 提供详细的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定栅极电压?
    - 解决方案:确保栅极电压在 \(V{GSS}\) 的安全范围内(±30 V),具体操作参见手册中的应用指南。
    2. 问题:如何防止过温保护?
    - 解决方案:采用合适的散热设计,如使用散热片或风扇来控制 MOSFET 的温度,确保不超过最大结温(150℃)。
    3. 问题:如何处理栅极电荷问题?
    - 解决方案:通过降低栅极电阻或使用专门的栅极驱动器来减小栅极电荷。

    总结和推荐


    FCP11N60N 和 FCPF11N60NT 是高性能的 N-Channel SupreMOS® MOSFET,具有超低的导通电阻和有效的输出电容,适用于多种高要求的电源转换应用。其卓越的开关性能和高可靠性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。如果您正在寻找高性能的功率 MOSFET,强烈推荐使用 FCP11N60N 或 FCPF11N60NT。建议在选择和使用过程中仔细阅读技术手册,并参考 Fairchild Semiconductor 提供的支持资源。

FCP11N60N参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10.8A
通道数量 1
栅极电荷 35.6nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 299mΩ@ 5.4A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.505nF@100V
最大功率耗散 94W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FCP11N60N厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCP11N60N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCP11N60N FCP11N60N数据手册

FCP11N60N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.4904 ¥ 12.6237
库存: 790
起订量: 400 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 12.62
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336