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NVMFS014P04M8LT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W 20V 2.4V 26.5nC 1个P沟道 40V 13.8mΩ@ 10V 12.5A;52.1A 1.734nF@ 20V DFN 贴片安装
供应商型号: FL-NVMFS014P04M8LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS014P04M8LT1G

NVMFS014P04M8LT1G概述

    NVMFS014P04M8L MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    NVMFS014P04M8L 是一款由 onsemi 生产的 P-通道 MOSFET。它主要用于功率管理领域,特别适用于需要紧凑设计和高效率的应用场合。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),使其成为电源转换和电机控制应用的理想选择。此外,它还具备湿法边缘设计,增强了焊接可靠性。

    技术参数


    以下是 NVMFS014P04M8L 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | -40 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏电流(25°C) | ID | -52.1 | - | - | A |
    | 持续漏电流(100°C) | - | - | -36.9 | - | A |
    | 通态漏源电阻(-10 V) | RDS(on) | - | 13.8 | - | mΩ |
    | 通态漏源电阻(-4.5 V) | - | - | 19.7 | - | mΩ |
    | 最大功耗(25°C) | PD | - | 60 | - | W |
    | 最大功耗(100°C) | - | - | 30 | - | W |
    | 额定温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 紧凑封装:小尺寸设计适合紧凑的设计需求。
    2. 低导通电阻:有助于降低损耗,提高效率。
    3. 低栅极电荷:降低驱动损耗,减少热应力。
    4. AEC-Q101 认证:适合汽车应用,提升可靠性。
    5. 环保材料:无铅、无卤素,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于电动车窗控制器、LED 照明系统和小型电机控制等。
    - 使用建议:
    - 由于该 MOSFET 为 P-通道,适用于 N-通道 MOSFET 不适用的应用场合。
    - 在高温环境中使用时需注意散热,以避免过热导致损坏。
    - 在设计 PCB 时应确保良好的接地和走线,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 该产品与标准 DFN5 封装兼容,适合大多数 PCB 设计。
    - onsemi 提供详细的文档和技术支持,帮助客户顺利集成到项目中。
    - 厂商提供生产件批准程序(PPAP),确保产品质量一致性。

    常见问题与解决方案


    1. 问:该 MOSFET 是否适合汽车应用?
    - 答:是的,该器件已通过 AEC-Q101 认证,适用于汽车电子产品。

    2. 问:在高温环境下如何保证稳定工作?
    - 答:确保良好散热,可采用散热片或风扇辅助降温。同时遵循 datasheet 中提供的最大功耗值。
    3. 问:能否用于医疗设备?
    - 答:不建议用于医疗设备。请咨询 onsemi 官方技术支持确认适用性。

    总结和推荐


    NVMFS014P04M8L 是一款高性能、高效能的 P-通道 MOSFET,特别适合于需要高可靠性和紧凑设计的应用场合。它具有出色的电气性能和多种保护机制,确保在各种条件下的稳定运行。总体而言,这款产品非常值得推荐,特别是在对成本敏感且对体积要求严格的项目中。务必仔细阅读技术手册并咨询技术支持,以确保正确使用。

NVMFS014P04M8LT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 13.8mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.734nF@ 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
通道数量 1
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.6W
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 12.5A;52.1A
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 26.5nC
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

NVMFS014P04M8LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS014P04M8LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS014P04M8LT1G NVMFS014P04M8LT1G数据手册

NVMFS014P04M8LT1G封装设计

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