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NVD5484NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),100W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 60V 17mΩ@ 25A,10V 10.7A,54A 1.41nF@25V DPAK-3 贴片安装
供应商型号: CY-NVD5484NLT4G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5484NLT4G

NVD5484NLT4G概述


    产品简介


    NVD5484NL:Power MOSFET
    NVD5484NL是一款单通道N沟道逻辑电平功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这款器件特别适用于高电流需求的应用,其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗、高电流处理能力以及AEC-Q101认证。该产品具有铅(Pb)自由、无卤素/无BFR及RoHS合规等特点,符合环保标准。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压(VDSS):60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 额定栅源电压下漏极连续电流(ID):54A(TC = 25°C),38A(TC = 100°C)

    - 功耗:
    - 功率耗散(PD):100W(TC = 25°C),50W(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):305A(tp = 10μs)
    - 热阻:
    - 结点到外壳热阻(RθJC):1.5°C/W(稳态,漏极)
    - 结点到环境热阻(RθJA):38°C/W(稳态)
    - 其他参数:
    - 转换电容(Ciss):1410pF(VGS = 0V,f = 1.0MHz,VDS = 25V)
    - 反向传输电容(Crss):135pF
    - 总栅电荷(QG(TOT)):27nC(VGS = 4.5V),48nC(VGS = 10V)

    产品特点和优势


    NVD5484NL的主要优势包括:
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为17mΩ(VGS = 10V时),显著减少了导通损耗。
    - 高电流处理能力:最大连续漏极电流为54A(TC = 25°C),可承受305A的短时脉冲电流。
    - AEC-Q101认证:满足汽车行业严格的质量要求。
    - 环保材料:无铅、无卤素,符合RoHS标准,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 工业自动化控制
    - 电动汽车驱动系统
    - 绿色能源转换器
    使用建议:
    - 在高电流应用中,需注意散热设计以避免过热损坏。
    - 在设计电路时,考虑使用低RDS(on)值来提高效率和减少发热。
    - 针对高温环境下的应用,确保器件工作温度不超过175°C。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVD5484NL采用DPAK封装,易于安装在标准PCB上,兼容大多数电子设备。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的封装尺寸和热管理指南,帮助用户更好地进行集成和测试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流应用中,如何避免过热?
    - 解决方案:设计高效的散热系统,如使用大面积铜箔散热片或散热片风扇。
    2. 问题:如何确保产品在汽车电子应用中的可靠性和长期稳定性?
    - 解决方案:选择AEC-Q101认证的产品,并遵循严格的环境测试程序。

    总结和推荐


    NVD5484NL是一款高性能的单通道N沟道逻辑电平功率MOSFET,具有优异的导通电阻和电流处理能力,非常适合于工业自动化和电动汽车等高要求应用。它在AEC-Q101认证和环保材料方面的优势使其成为市场上非常有竞争力的产品。强烈推荐给需要高可靠性、高效能电源转换的应用场合。

NVD5484NLT4G参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 25A,10V
Id-连续漏极电流 10.7A,54A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.9W(Ta),100W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.41nF@25V
栅极电荷 48nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVD5484NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5484NLT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5484NLT4G NVD5484NLT4G数据手册

NVD5484NLT4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4522 ¥ 3.8915
300+ $ 0.4481 ¥ 3.8564
500+ $ 0.4439 ¥ 3.8214
1000+ $ 0.4315 ¥ 3.6461
5000+ $ 0.4315 ¥ 3.6461
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