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FQB34N20TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.13W 30V 60nC@ 10V 1个N沟道 200V 75mΩ@ 10V 31A 2.4nF@ 25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-FQB34N20TM
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQB34N20TM

FQB34N20TM概述


    产品简介


    QFET™ 200V N-Channel MOSFET(场效应晶体管)
    QFET 是一款采用 Fairchild 半导体公司专有的平面条纹 DMOS 技术制造的增强型 N 沟道功率场效应晶体管。这种先进的技术被特别定制以减少导通电阻(RDS(on)),提供卓越的开关性能,并且能够在雪崩模式和换向模式下承受高能脉冲。QFET 主要应用于高效率的直流-直流转换器、开关电源、不间断电源中的直流-交流转换器、电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大漏源电压(VDS) | 200V |
    | 漏极电流(ID) | 31A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.075Ω (VGS = 10V) |
    | 栅极电荷(Qg) | 典型值 60nC |
    | 输出电容(Coss) | 典型值 55pF |
    | 雪崩耐量 | 100% 测试 |
    | 开关速度 | 快速切换 |

    产品特点和优势


    QFET 具有以下几个独特的功能和优势:
    1. 低导通电阻:在栅极电压为 10V 时,导通电阻仅为 0.075Ω,保证了更高的能源效率。
    2. 快速开关:得益于低栅极电荷(典型值 60nC),QFET 在实际应用中能够实现快速的开关操作。
    3. 抗雪崩能力:经过 100% 的雪崩测试,确保了设备在高能脉冲下的可靠性。
    4. 卓越的性能:通过改进的 dv/dt 能力,提升了设备的抗干扰能力。
    这些特性使得 QFET 在众多应用领域中表现出色,如直流-直流转换器、开关电源、不间断电源、电机控制等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器:QFET 可用于高效能的直流-直流转换器中,提高系统的整体能效。
    - 不间断电源(UPS):在不间断电源中,QFET 的低导通电阻和快速开关性能有助于减小系统体积并提高可靠性。
    - 电机控制:由于 QFET 的抗雪崩能力,它能够在电机控制应用中可靠工作。
    使用建议
    1. 选择合适的驱动电路:为了充分利用 QFET 的快速开关性能,需要选择适合的栅极驱动电路,以避免不必要的延迟。
    2. 散热设计:虽然 QFET 具有较低的导通电阻,但在高负载条件下仍需注意散热设计,以保持最佳工作状态。
    3. 电压稳定性:确保在应用中使用稳定的电源电压,特别是在高电流应用中。

    兼容性和支持


    QFET 支持标准的 TO-263(D2PAK)封装类型,易于集成到现有电路中。Fairchild Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够获得所需的支持。此外,客户还可以通过 Fairchild 的分销商网络获得样品和批量采购。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备无法正常开关 | 确保驱动电路的电压正确设置,并检查是否存在外部干扰。 |
    | 设备发热严重 | 确认散热设计是否足够,并考虑使用适当的散热片或散热器。 |
    | 工作过程中出现异常噪声 | 检查连接线是否松动或受到电磁干扰,并适当屏蔽线路。|

    总结和推荐


    QFET 是一款性能卓越的 N 沟道功率场效应晶体管,适用于多种应用场合。其低导通电阻、快速开关性能和抗雪崩能力使其成为高效率和高可靠性的首选。我们强烈推荐使用 QFET 在需要高性能功率管理的应用中,这将极大地提升系统的效率和可靠性。
    以上内容是对 QFET 200V N-Channel MOSFET 的详细介绍,希望对您有所帮助。

FQB34N20TM参数

参数
栅极电荷 60nC@ 10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.4nF@ 25V
Id-连续漏极电流 31A
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 3.13W
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

FQB34N20TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQB34N20TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQB34N20TM FQB34N20TM数据手册

FQB34N20TM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 2.22 ¥ 18.928
100+ $ 2.18 ¥ 18.759
300+ $ 2.16 ¥ 18.59
500+ $ 2.14 ¥ 18.421
1000+ $ 2.08 ¥ 17.576
5000+ $ 2.08 ¥ 17.576
库存: 882
起订量: 53 增量: 1
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