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FDA16N50-F109

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 205W(Tc) 30V 5V@ 250µA 45nC@ 10 V 1个N沟道 500V 380mΩ@ 8.3A,10V 16.5A 1.945nF@25V TO-3PN 通孔安装 16.2mm*5mm*20.1mm
供应商型号: UA-FDA16N50-F109
供应商: 海外现货
标准整包数: 450
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDA16N50-F109

FDA16N50-F109概述

    # N-Channel UniFET™ MOSFET: FDA16N50-F109 技术手册

    产品简介


    FDA16N50-F109 是 ON Semiconductor 推出的一款 N 沟道 UniFET™ MOSFET,专为高电压应用设计。这款产品基于平面条纹技术和 DMOS 技术,旨在降低导通电阻(RDS(on)),提升开关性能并增强雪崩能量能力。FDA16N50-F109 在消费电子、工业和计算机应用领域表现优异,广泛用于功率因数校正(PFC)、平板电视电源(FPD TV Power)以及 PC 电源适配器(ATX)等领域。

    技术参数


    以下为 FDA16N50-F109 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(BVDSS) 500 | V |
    | 持续漏极电流(ID) | 9.9 | 16.5 A |
    | 峰值脉冲漏极电流(IDM) 66 | A |
    | 栅极击穿电压(VGSS) | ±30 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) 0.38 Ω |
    | 栅极电荷(Qg) 32 | 45 | nC |
    | 体二极管反向恢复时间(trr) 490 ns |
    工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    封装形式:TO-3PN

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:典型值为 0.38Ω,可显著降低功耗。
    - 快速开关性能:低栅极电荷(Qg)和反向转移电容(Crss)有助于实现高效能的开关。
    - 强雪崩耐受能力:单次脉冲雪崩能量高达 780mJ,适合苛刻的应用环境。
    市场竞争力
    - 高可靠性与稳定性:经过 100% 雪崩测试验证,确保极端条件下的可靠运行。
    - 广泛适用性:适用于多种高电压应用场合,提供卓越的性能与性价比。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 平板电视电源:FDA16N50-F109 可用于电视机内部的开关电源模块,满足高效率与低损耗的需求。
    2. 不间断电源(UPS):在 UPS 系统中,其高雪崩耐受能力可应对突发的过压或过流情况。
    使用建议
    - 在开关电源设计中,确保栅极驱动电路能够提供足够的驱动能力以避免开关过程中的损耗增加。
    - 对于高频应用,需合理布局 PCB 设计,减少寄生效应的影响。

    兼容性和支持


    FDA16N50-F109 支持主流电路板设计,其 TO-3PN 封装与大多数同类设备兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持与文档,帮助用户快速上手并优化产品应用。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整驱动电路,降低开关频率 |
    | 栅极驱动电压不足导致性能下降 | 确保驱动电压在建议范围内 |
    | 应用中出现过压现象 | 增加保护电路(如 TVS 二极管) |

    总结和推荐


    综合评估
    FDA16N50-F109 的亮点在于其优异的导通性能、低栅极电荷和雪崩耐受能力,使其成为高电压、高效率应用的理想选择。特别是在平板显示和不间断电源领域,该产品具有明显的优势。
    推荐意见
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的电子系统中。同时,在设计时需关注散热管理和驱动电路优化,以充分发挥其潜力。

    如需更多资料,请访问 ON Semiconductor 官方网站:[www.onsemi.com](https://www.onsemi.com/)

FDA16N50-F109参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ@ 8.3A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.945nF@25V
配置 独立式
栅极电荷 45nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 205W(Tc)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 16.5A
长*宽*高 16.2mm*5mm*20.1mm
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDA16N50-F109厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDA16N50-F109数据手册

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FDA16N50-F109封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ $ 1.9375 ¥ 16.2362
900+ $ 1.775 ¥ 14.8745
库存: 1140
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