处理中...

首页  >  产品百科  >  NTP6412ANG

NTP6412ANG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 167W(Tc) 20V 4V@ 250µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 100V 18.2mΩ@ 58A,10V 58A 3.5nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: AV-S-ONSNTP6412ANG
供应商: Avnet
标准整包数: 50
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTP6412ANG

NTP6412ANG概述


    产品简介


    NTB6412AN, NTP6412AN 和 NVB6412AN 是 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于电力转换、电机驱动、开关电源等需要高电流能力和低导通电阻的应用场景。这些器件具有高电流处理能力,适用于工业控制、通信系统及汽车电子等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (ID): 58 A(TC=25°C),41 A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 240 A(tp = 10 μs)
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 16.8 mΩ ~ 18.2 mΩ(VGS = 10 V,ID = 58 A)
    - 输入电容 (Ciss): 2700 pF ~ 3500 pF
    - 输出电容 (Coss): 400 pF ~ 500 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 150 pF
    - 阈值栅电荷 (QG(TOT)): 73 nC ~ 100 nC
    - 开关延迟时间 (td(on)): 16 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 70 ns
    - 下降时间 (tf): 126 ns
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 300 mJ

    产品特点和优势


    - 低 RDS(on):该器件具有极低的导通电阻,保证了高效的电力转换。
    - 高电流能力:能够承受高达 58 A 的连续漏极电流,非常适合高电流应用。
    - 全雪崩测试:经过严格的雪崩测试,确保在极端条件下也能稳定工作。
    - 符合标准:NVB 前缀的版本通过了 AEC-Q101 认证,适合汽车和其他高要求应用。
    - 环保材料:无铅且符合 RoHS 规范,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些 MOSFET 器件适用于各种高电流应用场景,例如:
    - 电源转换器:提供高效的直流-直流转换。
    - 电机驱动器:提供可靠的电机控制。
    - 照明系统:如 LED 驱动电路。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到其高电流能力,合理的散热设计是必要的,可以采用散热片或者风扇来提高散热效率。
    - 电压和电流限制:避免长时间超过其最大额定值工作,以减少发热并延长使用寿命。
    - 合理选择栅极电阻:适当调整栅极电阻 (RG),可以优化开关速度和降低功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTB6412AN 系列器件采用 D2PAK 和 TO-220AB 封装,易于与多种 PCB 板安装兼容。
    - 支持和服务:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和专业的技术支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:
    - 解决方法:增加散热措施,如加装散热片或采用液冷系统。
    2. 启动时性能不佳:
    - 解决方法:确保供电电压符合要求,适当调节栅极电阻。
    3. 长期稳定性问题:
    - 解决方法:在高负载情况下,定期检查散热系统的工作状态,避免因过热导致的失效。

    总结和推荐


    NTB6412AN, NTP6412AN 和 NVB6412AN 是高性能的 N 沟道功率 MOSFET 器件,具备低导通电阻、高电流能力和优异的可靠性,非常适合在高电流和高功率的应用场合中使用。该系列器件还通过了严格的质量测试,保证了产品的高可靠性和稳定性。对于追求高效能和可靠性的用户来说,这是一个非常值得推荐的产品。
    综上所述,如果您的应用需要高电流和低导通电阻的 MOSFET,NTB6412AN 系列将是一个出色的选择。

NTP6412ANG参数

参数
栅极电荷 100nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 58A
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.5nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 167W(Tc)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 18.2mΩ@ 58A,10V
10.53mm(Max)
4.83mm(Max)
9.28mm(Max)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

NTP6412ANG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTP6412ANG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTP6412ANG NTP6412ANG数据手册

NTP6412ANG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
200+ $ 0.9769 ¥ 8.6458
600+ $ 0.9684 ¥ 8.5707
库存: 3900
起订量: 200 增量: 50
交货地:
最小起订量为:200
合计: ¥ 1729.16
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0