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FDMA910PZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=20 V, 9.4 A, MicroFET 2 x 2封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: FDMA910PZTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMA910PZ

FDMA910PZ概述

    FDMA910PZ MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDMA910PZ 是一款由 ON Semiconductor 设计的单个 P 沟道 MOSFET,专为便携式应用中的电池充电或负载切换而设计。该产品采用先进的 POWERTRENCH™ 工艺制造,具有低导通电阻(rDS(on))和静电放电(ESD)保护。其 MicroFET 2x2 封装在物理尺寸方面具有出色的热性能,非常适合线性模式应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大 rDS(on) | 20 mΩ @ VGS = -4.5 V, ID = -9.4 A
    24 mΩ @ VGS = -2.5 V, ID = -8.6 A
    34 mΩ @ VGS = -1.8 V, ID = -7.2 A |
    | 极限电压 | VDS: -20 V
    VGS: ±8 V |
    | 连续电流 | -9.4 A @ TA = 25°C |
    | 最大功耗 | 2.4 W @ TA = 25°C |
    | 热阻 | RJA: 52°C/W (典型值)
    RJC: 145°C/W (典型值) |
    | 操作温度范围 | -55°C 至 +150°C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:不同电压下,最大 rDS(on) 分别为 20 mΩ、24 mΩ 和 34 mΩ。
    2. 高可靠性:HBM ESD 保护等级 > 2.8 kV。
    3. 环保材料:不含卤素和氧化锑,符合 RoHS 标准。
    4. 热性能卓越:MicroFET 2x2 封装使其具有出色的热性能。
    5. 紧凑封装:高度仅 0.8 mm,适合空间受限的应用场合。

    应用案例和使用建议


    FDMA910PZ MOSFET 主要应用于便携式设备如手机和其他超便携设备的电池充电和负载开关应用。对于使用该器件的设计工程师,建议考虑以下几点:
    - 在选择合适的驱动电压时,需要确保其在最低阈值电压下仍能保持良好的性能。
    - 由于其紧凑的封装,建议在 PCB 布局时优化散热路径,以确保良好的热管理。
    - 在高压条件下使用时,应注意其热阻特性,避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    FDMA910PZ MOSFET 具有良好的兼容性,可以与其他标准 MOSFET 设备一起使用。ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的电气特性和热特性数据表,以及在线支持资源。此外,还有详细的订货和发货信息可供参考。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件无法正常工作,表现为电流异常。
    解决方法:检查 VGS 和 VDS 电压是否正确设置,确保符合器件的额定条件。
    2. 问题:设备在高温环境下表现不佳。
    解决方法:根据热阻数据优化散热设计,确保设备在安全的工作温度范围内运行。
    3. 问题:ESD 保护失效。
    解决方法:确保设备安装时采取适当的 ESD 防护措施,并且操作时遵守 ESD 规范。

    总结和推荐


    FDMA910PZ MOSFET 以其低导通电阻、高可靠性和环保特性,在电池充电和负载开关应用中表现出色。其出色的热性能和紧凑封装使其成为便携式设备的理想选择。经过综合评估,强烈推荐在相关应用中使用此产品,特别是在追求高性能和可靠性的场合。
    希望以上内容能帮助您更好地了解 FDMA910PZ MOSFET 的特性和应用。如有任何疑问或需要更多技术支持,请访问 ON Semiconductor 官方网站或联系当地销售代表。

FDMA910PZ参数

参数
最大功率耗散 2.4W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 9.4A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.805nF@10V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 29nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 9.4A
长*宽*高 2mm*2mm*780μm
通用封装 MICROFET-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMA910PZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMA910PZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMA910PZ FDMA910PZ数据手册

FDMA910PZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.4108 ¥ 3.4375
6000+ $ 0.3816 ¥ 3.1939
9000+ $ 0.3669 ¥ 3.0702
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