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NDD60N360U1T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 114W(Tc) 25V 4V@ 250µA 26nC@ 10 V 1个N沟道 600V 360mΩ@ 5.5A,10V 11A 790pF@50V TO-252 贴片安装
供应商型号: CY-NDD60N360U1T4G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDD60N360U1T4G

NDD60N360U1T4G概述


    产品简介


    NDD60N360U1 是一款由Semiconductor Components Industries公司生产的N沟道功率MOSFET器件。这款产品具有高电压耐受能力和低导通电阻,适用于600伏特的应用场景。它的主要功能是作为开关器件,在电源管理、电机控制和汽车电子等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏极到源极电压 (VDSS): 600V
    - 栅极到源极电压 (VGS): ±25V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C时为11A
    - TC=100°C时为6.9A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 44A(tp=10μs)
    - 存储温度 (TSTG): -55°C 到 +150°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 64mJ
    - 热阻 (Junction-to-Case): 1.1°C/W
    - 峰值二极管恢复率 (dv/dt): 15V/ns
    - 封装形式: DPAK 和 IPAK
    - 引脚配置:
    - IPAK: G (栅极), D (漏极), S (源极)
    - DPAK: G (栅极), D (漏极), S (源极)

    产品特点和优势


    - 可靠性高: 100% 雪崩测试保证了产品在极端条件下的可靠性。
    - 环保: 无铅、无卤素、符合RoHS标准。
    - 高效率: 低导通电阻 (RDS(on)),适用于高效率的应用。
    - 宽工作温度范围: -55°C 到 +150°C,适应多种工作环境。
    - 出色的动态特性: 低输入电容 (Ciss),适用于高速切换应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NDD60N360U1 常用于电源转换器、电机驱动和汽车电子等领域。例如,在直流-直流转换器中,它能有效减少开关损耗并提高系统效率。在电动汽车的电池管理系统中,它能够快速响应高电流变化,确保系统的稳定运行。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保漏极到源极电压 (VDSS) 不超过600V,以避免击穿风险。
    - 考虑散热需求,特别是对于大电流应用,确保适当的散热措施。
    - 在高频应用中,注意门极电阻 (Rg) 的选择,以优化开关时间。

    兼容性和支持


    NDD60N360U1 与多种封装形式兼容,支持DPAK和IPAK两种封装。ON Semiconductor公司提供了详尽的技术支持文档,包括安装指南、应用笔记和技术论坛,帮助客户解决设计中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关损耗过高
    - 解决方法: 减少门极电阻 (Rg),优化开关时间,降低损耗。
    2. 问题: 散热不良导致器件过热
    - 解决方法: 增加散热片面积,使用热导材料,确保良好的热流通。
    3. 问题: 系统稳定性不足
    - 解决方法: 检查电路布局,确保电源和接地线的稳定性,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    NDD60N360U1 是一款高性能的N沟道功率MOSFET器件,具备高可靠性、高效能和广泛的温度适应性。它适用于多种高要求的工业和汽车应用。考虑到其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效率和高可靠性的项目中采用此产品。

NDD60N360U1T4G参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 114W(Tc)
栅极电荷 26nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 25V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 790pF@50V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 5.5A,10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 11A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NDD60N360U1T4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDD60N360U1T4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDD60N360U1T4G NDD60N360U1T4G数据手册

NDD60N360U1T4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.9408 ¥ 8.0953
300+ $ 0.9321 ¥ 8.0224
500+ $ 0.9235 ¥ 7.9494
1000+ $ 0.8976 ¥ 7.5848
5000+ $ 0.8976 ¥ 7.5848
库存: 36018
起订量: 124 增量: 1
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