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FDP12N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 165W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10V 1个N沟道 500V 650mΩ@ 6A,10V 11.5A 1.315nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-FDP12N50
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP12N50

FDP12N50概述


    产品简介


    FDP12N50 / FDPF12N50T — N-Channel UniFETTM MOSFET
    FDP12N50/FDPF12N50T 是Fairchild半导体公司推出的一款高电压N沟道UniFETTM MOSFET。这款MOSFET具有卓越的开关性能和高雪崩能量强度,适用于多种应用场合,如LCD/LED/PDP电视、照明、不间断电源(UPS)等。该产品采用平面条形和DMOS技术制造,能够有效降低导通电阻(RDS(on)),适合用于功率因数校正(PFC)、平面显示器电视电源及ATX等设备中的开关电源转换应用。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 值 |
    |
    | 漏源电压(VDSS) | FDP12N50 | 500 V |
    | 栅源电压(VGSS) | FDP12N50 | ±30 V |
    | 持续漏电流(ID) | FDP12N50 | 11.5 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | FDP12N50 | 456 mJ |
    | 复合雪崩能量(EAR) | FDP12N50 | 16.7 mJ |
    | 最大结温(TJ) | FDP12N50 | -55 to +150°C |
    | 热阻(RθJC) | FDP12N50 | 0.75°C/W |
    | 热阻(RθJA) | FDP12N50 | 62.5°C/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.55Ω,在VGS = 10 V时,ID = 6 A条件下测量。
    2. 低栅极电荷:典型值为22 nC,有助于提高开关速度并降低功耗。
    3. 低结电容:典型的Crss(反向传输电容)为11 pF,有助于减少开关损耗。
    4. 高雪崩测试覆盖率:确保可靠性,承受高电压冲击能力。
    5. 符合RoHS标准:环保材料,无有害物质,符合国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 液晶显示(LCD)电视:在液晶显示电视中,FDP12N50/MOSFET用于电源逆变器,能够有效控制背光亮度和节能。
    - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDP12N50/MOSFET作为开关元件,提供高效能量转换。
    使用建议:
    1. 注意热管理:由于较高的热阻(RθJC = 0.75°C/W),需要良好的散热设计以避免过热。
    2. 优化驱动电路:考虑采用较低的栅极电阻(RG < 25Ω)以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    FDP12N50/MOSFET可与其他主流开关电源组件兼容,例如电源控制器和其他高电压MOSFET。ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,以确保客户能充分利用产品的所有功能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻(RG < 25Ω) |
    | 热管理不当 | 使用合适的散热器,并确保良好空气流通 |
    | 雪崩击穿 | 确保电路设计满足最大雪崩能量要求 |

    总结和推荐


    综合评估:FDP12N50/MOSFET 在高电压和高电流应用中表现出色,具备出色的开关性能和可靠性。其低导通电阻和高雪崩测试覆盖率使其成为许多电源转换应用的理想选择。
    推荐:鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,FDP12N50/MOSFET 推荐用于各种电源转换应用,特别是在需要高效能量转换和高可靠性的情况下。如果您的项目需要高效率和可靠性的电源解决方案,强烈建议考虑使用此产品。

FDP12N50参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.315nF@25V
通道数量 1
栅极电荷 30nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 165W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 11.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 6A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDP12N50厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP12N50数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP12N50 FDP12N50数据手册

FDP12N50封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8529 ¥ 7.339
300+ $ 0.845 ¥ 7.2728
500+ $ 0.8372 ¥ 7.2067
1000+ $ 0.8137 ¥ 6.8761
5000+ $ 0.8137 ¥ 6.8761
库存: 643
起订量: 137 增量: 1
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