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NTD110N02R-001G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5W(Ta),110W(Tc) 20V 2V@ 250µA 28nC@ 4.5 V 1个N沟道 24V 4.6mΩ@ 20A,10V 110A 3.44nF@20V TO-252-3 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.35mm
供应商型号: CSJ-ST32752191
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD110N02R-001G

NTD110N02R-001G概述

    NTD110N02R, STD110N02R MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NTD110N02R 和 STD110N02R 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率 DC-DC 转换器设计。该器件采用平面 HD3e 工艺,适用于需要快速开关性能的应用。主要应用于高边开关和类似需要低导通电阻和高速度的场景。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 24 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 110 A (TA = 25°C)
    - 单脉冲耗散功率 (PD): 32 W
    - 热阻 (RθJC): 1.35 °C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 52 °C/W (FR4 板上的焊点尺寸为 0.5 平方英寸)
    - 最大结温 (TJ): -55 至 175°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 120 mJ
    - 焊接温度 (TL): 260°C
    - 电气特性:
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 5.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.1 mΩ (VGS = 10 V, ID = 110 A)
    - 输入电容 (Ciss): 2710 pF (VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 1105 pF
    - 转移电容 (Crss): 450 pF
    - 开关时间 (td(on)): 11 ns (VGS = 10 V, VDD = 10 V, ID = 40 A, RG = 3.0 Ω)

    3. 产品特点和优势


    - 高性能工艺: 采用平面 HD3e 工艺,确保快速开关性能。
    - 低导通电阻: RDS(on) 最小为 4.1 mΩ,减少导通损耗。
    - 低栅极电荷: 减少驱动损耗,提高效率。
    - AEC-Q101 合格认证: 符合汽车和其他严格要求的应用。
    - 无铅且符合 RoHS: 适用于各种环保需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高边开关应用: 在高效率 DC-DC 转换器中用作高边开关,可实现高效的电源转换。
    - 并联使用: 可以通过并联多个器件来增加电流容量,适用于大电流应用。
    - 散热管理: 使用较大尺寸的散热器或 PCB 设计,以保证在高功率运行时良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 支持广泛的 PCB 布局和连接方式,可用于各种电路板设计。
    - 制造商支持: ON Semiconductor 提供详细的技术文档、客户支持和技术服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 过热保护: 确保散热良好,避免器件过热。
    - 寄生电容影响: 使用适当的栅极电阻和 PCB 设计,减少寄生电容对开关性能的影响。
    - 驱动电流不足: 确保栅极驱动器具有足够的电流输出能力,避免开关速度下降。

    7. 总结和推荐


    NTD110N02R 和 STD110N02R MOSFET 是一款高度可靠的高性能器件,适用于需要快速开关性能和高电流容量的应用。其低导通电阻和优化的电气特性使其在高效率 DC-DC 转换器中表现出色。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的应用场合。
    通过这些详细的技术参数和使用建议,我们可以更好地理解和应用这款先进的 N 沟道 MOSFET。

NTD110N02R-001G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
最大功率耗散 1.5W(Ta),110W(Tc)
Id-连续漏极电流 110A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 24V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.44nF@20V
栅极电荷 28nC@ 4.5 V
配置 独立式
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.35mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD110N02R-001G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD110N02R-001G数据手册

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NTD110N02R-001G封装设计

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