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FDM2509NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.2W 12V 1.5V@ 250µA 17nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 18mΩ@ 8.7A,4.5V 8.7A 1.2nF@10V MICROFET-6 贴片安装 5mm*2mm*800μm
供应商型号: CY-FDM2509NZ
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDM2509NZ

FDM2509NZ概述


    产品简介


    FDM2509NZ 是一款双N通道功率MOSFET,专为电池供电设备(如Li-Ion电池组)而设计。采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺,确保了在2.5V栅极电压下的低导通电阻(RDS(ON))。该器件封装于微型引线框架(MicroFET)中,使得安装更为便捷且空间占用更小。FDM2509NZ以其优异的性能和稳定性,在多个应用场景中表现出色。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压(VDS): 20V
    - 栅源电压(VGSS): ±12V
    - 连续漏极电流(ID): 8.7A
    - 脉冲漏极电流(ID): 30A
    - 功率耗散(PD): 2.2W (Steady State)
    - 最大工作温度范围(TJ): -55°C to +150°C
    - 热阻(RθJA): 55°C/W
    - 热阻(RθJC): 2°C/W
    - 典型值
    - RDS(ON)@ VGS=4.5V, ID=8.7A: 18mΩ
    - RDS(ON)@ VGS=2.5V, ID=7.6A: 24mΩ
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): 1μA
    - 门体泄漏(IGSS): ±10μA
    - 开关时间(td(on)): 11ns
    - 反向恢复时间(trr): 20ns

    产品特点和优势


    1. 高电流承载能力:连续漏极电流达到8.7A,适用于需要大电流处理的应用场景。
    2. 低导通电阻:在2.5V电压下,RDS(ON)仅24mΩ,确保高效能量转换和降低功耗。
    3. 出色的热管理能力:热阻较低,能有效散热,保证长期稳定运行。
    4. 高可靠性:通过了严格的绝对最大额定测试,确保在极端条件下仍能可靠运行。
    5. 微型封装:采用小型封装(2x5mm),适用于空间受限的设计。
    6. ESD保护:内置ESD保护二极管,增强了产品的可靠性。

    应用案例和使用建议


    FDM2509NZ主要应用于锂离子电池组和其他需要高效能量转换的电路中。具体应用实例包括手机充电器、电源适配器、便携式电子设备等。
    使用建议:
    - 在选择电源时,需考虑实际应用场景的电流需求和温度条件,确保FDM2509NZ能够在预期环境中稳定运行。
    - 设计时应注意合理布局和散热措施,以避免过热导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDM2509NZ可与多种电源管理和电池充电电路兼容,广泛适用于各类消费电子和工业控制设备。
    - 支持服务:Fairchild Semiconductor提供全面的技术支持,包括产品选型指导、应用技术支持及售后维护服务,确保客户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,例如添加散热片或散热风扇,必要时采用更大散热面积的PCB布局。
    2. 问题:长时间使用后性能下降怎么办?
    - 解决方案:检查是否存在过热现象,确保电路中的热管理系统正常工作。如有异常,联系技术支持获取帮助。
    3. 问题:产品故障排除有哪些方法?
    - 解决方案:首先确认电源和电路连接正确,检查外围元件状态;如无法自行解决,可联系Fairchild Semiconductor官方技术支持团队进行诊断和维修。

    总结和推荐


    FDM2509NZ作为一款高性能的N通道功率MOSFET,具有高电流承载能力、低导通电阻、优良的热管理和小巧的封装尺寸。适合应用于锂离子电池组及其他要求高效能的电源转换电路中。考虑到其出色的性能、较高的性价比以及Fairchild Semiconductor提供的强大技术支持,FDM2509NZ是值得推荐的优秀产品。

FDM2509NZ参数

参数
最大功率耗散 2.2W
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@10V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 8.7A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 17nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 8.7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
长*宽*高 5mm*2mm*800μm
通用封装 MICROFET-6
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDM2509NZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDM2509NZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDM2509NZ FDM2509NZ数据手册

FDM2509NZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2957 ¥ 2.5453
500+ $ 0.293 ¥ 2.5221
1000+ $ 0.2848 ¥ 2.4064
5000+ $ 0.2848 ¥ 2.4064
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