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FDMS86350ET80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta),187W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2.4mΩ@ 25A,10V 25A,198A 8.03nF@40V QFN 贴片安装 3.3mm*3.3mm*800μm
供应商型号: 3368752
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86350ET80

FDMS86350ET80概述

    FDMS86350ET80 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDMS86350ET80 是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)的产品系列。该器件采用先进的PowerTrench®工艺制造,具备低导通电阻和高效率的特点。广泛应用于电源管理、电机控制等领域,如作为主MOSFET、同步整流器、负载开关和电机控制开关。

    技术参数


    FDMS86350ET80 的关键技术参数如下:
    - 额定电压(VDS): 80V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时: 198A
    - TC = 100°C时: 140A
    - TA = 25°C时: 25A
    - 脉冲方式: 693A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 864mJ
    - 热阻(RθJC): 0.8°C/W
    - 热阻(RθJA): 45°C/W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +175°C
    此外,该器件具有以下静态和动态电气特性:
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 25A时: 2.0至2.4mΩ
    - VGS = 8V, ID = 22A时: 2.5至3.2mΩ
    - VGS = 10V, ID = 25A, TJ = 125°C时: 3.1至3.8mΩ
    - 前向传输电导(gFS): 70S
    - 输入电容(Ciss): 8030pF
    - 输出电容(Coss): 1370pF
    - 反向传输电容(Crss): 31pF
    - 总栅极电荷(Qg):
    - VGS = 0V至10V时: 110至155nC
    - VGS = 0V至8V时: 90至127nC

    产品特点和优势


    FDMS86350ET80 的独特优势包括:
    - 广泛的温度范围:该器件的温度范围扩展到175°C,适合恶劣环境应用。
    - 低导通电阻:最小rDS(on)为2.4mΩ,适合需要高效能的应用。
    - 高级封装设计:采用MLP8(Molded Lead Frame Plastic 8引脚)封装,具备低热阻和高可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保材料,适用于绿色制造。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的应用场景,FDMS86350ET80 适用于多种应用,如主MOSFET、同步整流器、负载开关和电机控制开关。在使用时,应注意以下几点:
    - 确保散热系统能够有效工作,避免过温导致器件损坏。
    - 针对高电流应用,需要考虑系统的整体散热设计,以防止热累积。

    兼容性和支持


    该器件与其他电子元器件兼容性良好,符合JEDEC MO-240标准。ON Semiconductor提供详尽的技术支持和文档资料,包括详细的测试报告、应用指南等,帮助客户更好地利用这款产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 温度范围内的性能变化?
    - 解答: 请参考手册中的数据表,了解不同温度下器件的各项参数变化。
    - 问题: 如何选择合适的散热方案?
    - 解答: 根据手册中的热阻数据,计算出所需的散热片面积和风扇功率,确保良好的散热效果。

    总结和推荐


    FDMS86350ET80 在性能、可靠性及环保方面表现优异,是高性能电源管理和电机控制的理想选择。建议用户在使用前仔细阅读手册,并遵循推荐的使用条件,以获得最佳的性能和使用寿命。

FDMS86350ET80参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 独立式quaddraintriplesource
Id-连续漏极电流 25A,198A
栅极电荷 155nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
最大功率耗散 3.3W(Ta),187W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.03nF@40V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 25A,10V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*800μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FDMS86350ET80厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86350ET80数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86350ET80 FDMS86350ET80数据手册

FDMS86350ET80封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 37.7844
10+ ¥ 33.2503
100+ ¥ 32.6457
500+ ¥ 32.6457
3000+ ¥ 32.6457
6000+ ¥ 32.6457
9000+ ¥ 32.6457
库存: 2052
起订量: 2 增量: 0
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