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NDS9435A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta) 25V 3V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个P沟道 30V 50mΩ@ 5.3A,10V 528pF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
供应商型号: CSJ-ST4793555
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDS9435A

NDS9435A概述

    NDS9435A 30V P-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDS9435A 是一款由 Fairchild Semiconductor 开发的 P-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了先进的 PowerTrench 工艺技术。这款 MOSFET 专门用于各种电力管理应用,包括负载开关和电池保护。其特点在于广泛的门极驱动电压范围(4.5V 至 25V),这使其在多种应用场景下都能表现出色。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS): –30 V
    - 最大门源电压 (VGSS): ±25 V
    - 连续漏电流 (ID): –5.3 A
    - 脉冲漏电流 (ID): –50 A
    - 单次操作的最大耗散功率 (PD): 2.5 W
    - 热阻 (RθJA): 50°C/W (当焊接到 1 in² 的 2 盎司铜箔上时)
    - 结温 (TJ): –55°C 至 +175°C
    - 最大输入电容 (Ciss): 528 pF
    - 最大输出电容 (Coss): 132 pF
    - 最大反向传输电容 (Crss): 70 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 10 nC 至 14 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 2.2 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 2 nC
    - 正常化导通电阻 (RDS(on)): 42 mΩ 至 80 mΩ(取决于 VGS

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在不同 VGS 条件下的典型值为 42 mΩ 至 80 mΩ,这意味着该器件可以在不同的工作条件下提供稳定的导通性能。
    - 快速开关速度: 具有较快的开关时间,如开通延迟时间 (td(on)) 仅为 7 ns 至 14 ns,关断延迟时间 (td(off)) 仅为 14 ns 至 25 ns。
    - 高可靠性: 基于 PowerTrench 工艺技术,具备出色的稳定性和可靠性。
    - 宽工作温度范围: 能够在极端温度条件下正常工作(–55°C 至 +175°C)。

    应用案例和使用建议


    NDS9435A 主要应用于电力管理系统、负载开关和电池保护电路中。例如,在负载开关应用中,它能够有效地控制电源供应,减少功耗并提高效率。此外,它还能够在电池保护系统中作为关键组件,确保电池的安全运行。
    使用建议:
    1. 在设计时需注意散热,特别是在高温环境下使用时,可以通过增加散热片或优化 PCB 设计来降低热阻。
    2. 鉴于其快速开关特性,需要确保门极驱动电路能够提供足够快的信号以实现最佳性能。
    3. 对于长时间连续工作的应用,应考虑其最大耗散功率限制,避免过载导致器件损坏。

    兼容性和支持


    NDS9435A 采用标准 SO-8 封装,易于集成到现有的电路板设计中。Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。同时,用户可以通过 Fairchild 官方网站获取最新的产品文档和技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高温环境下使用时,器件的性能下降。
    - 解决方案: 选择具有较低热阻 (RθJA) 的封装或增加散热措施,如安装散热片。
    2. 问题: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 优化门极驱动电路,增加阻尼电阻或使用软开关技术来减少振铃。
    3. 问题: 长期使用后出现器件老化。
    - 解决方案: 定期检测器件的导通电阻 (RDS(on)) 和温度,确保其在规定的范围内工作。

    总结和推荐


    NDS9435A 是一款高性能的 P-通道 MOSFET,特别适用于电力管理和负载开关应用。其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使其成为同类产品中的佼佼者。建议在需要高性能电力管理解决方案的应用中使用此器件。Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术支持和文档资源,确保用户能够充分发挥其潜力。

NDS9435A参数

参数
栅极电荷 14nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 5.3A,10V
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 528pF@15V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
最大功率耗散 2.5W(Ta)
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NDS9435A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDS9435A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDS9435A NDS9435A数据手册

NDS9435A封装设计

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