处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFS4C13NWFTWG

NVTFS4C13NWFTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),26W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 15.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 9.4mΩ@ 30A,10V 14A 770pF@15V WDFN-8 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: 488-NVTFS4C13NWFTWGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 5000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS4C13NWFTWG

NVTFS4C13NWFTWG概述

    NVTFS4C13N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS4C13N 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的单通道N沟道功率MOSFET。它主要用于各种电源管理应用,如开关电源、直流电机驱动、电池充电电路等。其具有低导通电阻(RDS(on)),能有效减少导通损耗;低电容设计以降低驱动损耗;优化的栅极电荷以最小化开关损耗。此外,该产品还具备湿法侧壁(Wettable Flanks)功能,适用于需要独特位置和控制变更要求的应用场合,且符合AEC-Q101标准。这些设备无铅、卤素及BFR自由,并符合RoHS标准。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 30V
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 连续漏极电流:ID(TJ = 25°C)= 14A, (TJ = 100°C)= 10A
    - 功率耗散:PD(TJ = 25°C)= 3.0W, (TJ = 100°C)= 1.5W
    - 瞬态漏极电流:IDM = 152A
    - 最高额定温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 反向恢复时间:tRR = 23.4ns
    - 反向恢复电荷:QRR = 9.7nC

    产品特点和优势


    1. 低RDS(on):导通电阻低至9.4mΩ,可显著减少导通损耗。
    2. 低电容设计:输入电容CISS和输出电容COSS分别仅为770pF和443pF,可以减少驱动损耗。
    3. 优化的栅极电荷:总栅极电荷QG(TOT)仅为7.8nC,有助于减少开关损耗。
    4. AEC-Q101认证:适用于汽车和其他对可靠性和质量要求极高的应用。
    5. 环保材料:无铅、卤素及BFR自由,符合RoHS标准,适合绿色制造。

    应用案例和使用建议


    NVTFS4C13N 主要应用于开关电源转换器、电机驱动器、电池充电器等领域。在实际应用中,该MOSFET通常与电源管理IC一起使用,形成高效能的电力管理系统。例如,在一个典型的直流电机驱动系统中,NVTFS4C13N可以作为高效率的开关元件来控制电机的启停和速度。建议在应用中通过调整栅极电阻RG来优化开关速度,从而实现最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可以与常见的电源管理和控制IC兼容,适用于多种电路设计。
    - 支持和维护:安森美提供详细的技术文档和在线技术支持,确保用户能够正确使用并获取必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确认MOSFET的工作温度?
    - 解决方法:检查MOSFET的最大额定温度范围(TJ = -55°C 至 +175°C),确保应用环境中温度不超过此范围。
    - 问题二:如何避免MOSFET过热?
    - 解决方法:使用合适的散热片或散热器,并根据计算出的热阻值(RJC = 5.8°C/W)选择适当的散热方案。

    总结和推荐


    综上所述,NVTFS4C13N MOSFET凭借其低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷等特点,使其成为一种非常高效的功率MOSFET。它在各种电源管理和控制应用中表现出色,尤其是在需要高性能和高可靠性的地方。因此,强烈推荐使用该产品进行相关的设计和开发。同时,安森美提供的全方位支持也极大地提升了产品的易用性和可靠性。

NVTFS4C13NWFTWG参数

参数
栅极电荷 15.2nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 14A
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ@ 30A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 770pF@15V
配置 -
最大功率耗散 3W(Ta),26W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
通道数量 -
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS4C13NWFTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS4C13NWFTWG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS4C13NWFTWG NVTFS4C13NWFTWG数据手册

NVTFS4C13NWFTWG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 0.4924 ¥ 4.1211
库存: 40000
起订量: 5000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 20605.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336