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FDD86113LZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),29W(Tc) 20V 3V@ 250µA 6nC@ 10 V 1个N沟道 100V 104mΩ@ 4.2A,10V 4.2A,5.5A 285pF@50V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: 3003927
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD86113LZ

FDD86113LZ概述


    产品简介


    FDD86113LZ N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET
    FDD86113LZ是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的N沟道屏蔽栅极功率Trench MOSFET。这种MOSFET主要用于直流-直流转换等电源管理应用。其采用了先进的PowerTrench工艺,结合了屏蔽栅极技术,使得产品具备低导通电阻(RDS(on))、高开关性能和高可靠性。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):100 V
    - 连续漏极电流(ID):5.5 A(TC=25°C),4.2 A(TA=25°C)
    - 最大导通电阻(RDS(on)):104 mΩ(VGS=10 V,ID=4.2 A),156 mΩ(VGS=4.5 V,ID=3.4 A)
    - 脉冲漏极电流(ID):15 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):12 mJ
    - 最大耗散功率(PD):29 W(TC=25°C),3.1 W(TA=25°C)
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RθJC):4.3°C/W
    - 热阻(RθJA):96°C/W

    产品特点和优势


    - Shielded Gate MOSFET技术:提供低导通电阻和卓越的开关性能。
    - 极低导通电阻(RDS(on)):104 mΩ(VGS=10 V,ID=4.2 A)和156 mΩ(VGS=4.5 V,ID=3.4 A),确保高效的功率转换。
    - 高可靠性:HBM ESD保护水平 > 6 kV(典型值)。
    - 高功率和电流处理能力:适合广泛使用的表面贴装封装形式。
    - 100% UI测试通过:保证产品质量。
    - 符合RoHS标准:环保材料,满足国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC转换器:FDD86113LZ适用于各种直流-直流转换器设计,确保高效的电源管理和输出稳定性。

    使用建议
    - 在使用过程中,确保VGS不超过±20 V,以避免损坏栅极。
    - 鉴于其热阻较高(RθJA = 96°C/W),需要适当的散热措施,特别是在高功率应用场景中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDD86113LZ的D-PAK(TO-252)封装使其易于集成到现有的电路板设计中。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和在线支持,包括应用指南、常见问题解答等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热?
    - 解决办法:确保电路板设计中有足够的散热措施,如散热片或风扇。

    - 问题2:栅极泄漏电流过高?
    - 解决办法:检查栅极电阻连接是否正确,并确保使用正确的栅极驱动器。

    总结和推荐


    综合评估
    FDD86113LZ是一款高性能的N沟道屏蔽栅极功率Trench MOSFET,以其低导通电阻、高可靠性、宽工作温度范围等特点,在多种应用场景中表现出色。尤其适合用于需要高效电源管理的DC-DC转换器中。
    推荐使用
    基于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐使用FDD86113LZ。这款MOSFET能够为设计师提供可靠且高效的解决方案,满足多样化的电源需求。

FDD86113LZ参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 285pF@50V
Id-连续漏极电流 4.2A,5.5A
通道数量 1
最大功率耗散 3.1W(Ta),29W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
栅极电荷 6nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 104mΩ@ 4.2A,10V
配置 独立式
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD86113LZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD86113LZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD86113LZ FDD86113LZ数据手册

FDD86113LZ封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 6.8241
10+ ¥ 5.1698
100+ ¥ 4.6321
500+ ¥ 4.4667
2500+ ¥ 4.4667
7500+ ¥ 4.4667
20000+ ¥ 4.4667
37500+ ¥ 4.4667
库存: 4771
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 51.69
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型号 价格(含增值税)
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