处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS015N10MCLT1G

NVMFS015N10MCLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),79W(Tc) 20V 2.2V@ 282µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 100V 12.2mΩ@ 14A,10V 1.338nF@50V SO 贴片安装
供应商型号: NVMFS015N10MCLT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS015N10MCLT1G

NVMFS015N10MCLT1G概述


    产品简介


    NVMFS015N10MCL MOSFET - Power, 单个
    NVMFS015N10MCL 是一款单个N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率的电源转换应用。这款器件具备紧凑的封装(5x6mm),低导通电阻(RDS(on)),并具有优化的栅极电荷和电容,能够有效减少驱动损耗。此外,该器件还符合AEC-Q101标准,并且无铅、无卤素、无BFR、RoHS合规,适用于汽车和工业应用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅极-源极电压:±20 V
    - 漏-源极电压(VDSS):100 V
    - 连续漏极电流(ID):47.1 A @ TC=25°C, 29.8 A @ TC=100°C
    - 功率耗散(PD):59.5 W @ TC=25°C, 23.8 W @ TC=100°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):12.2 mΩ @ 10 V, 18.3 mΩ @ 4.5 V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):250 μA @ 100 V
    - 门阈值电压(VGS(TH)):1 V 至 3 V
    - 电容特性:
    - 输入电容(CISS):1338 pF @ VGS=0 V, f=1 MHz, VDS=50 V
    - 输出电容(COSS):521 pF
    - 反向传输电容(CRSS):9.0 pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):9.0 nC @ VGS=4.5 V, VDS=50 V; 19 nC @ VGS=10 V
    - 开关特性
    - 开启延时时间(td(ON)):8.4 ns
    - 关闭延时时间(td(OFF)):23.8 ns
    - 上升时间(tr):2.7 ns
    - 下降时间(tf):4.6 ns

    产品特点和优势


    - 紧凑设计:小尺寸(5x6mm),适合空间受限的应用。
    - 低RDS(on):低导通电阻有助于降低功耗和温升。
    - 优化栅极电荷和电容:低QG和电容可减小驱动损耗。
    - 湿法侧封选项:提供NVMFWS015N10MCL版本,增强了光学检测能力。
    - 符合AEC-Q101标准:适用于汽车应用。
    - 环保材料:无铅、无卤素、无BFR、RoHS合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器:适用于汽车和工业应用中的高效DC-DC转换器。
    - 电机驱动器:用于电动工具和其他工业设备中的电机控制。
    - 太阳能逆变器:作为太阳能系统中的关键部件,提高能源转换效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于该器件的最大电流受环境温度影响较大,需要合理设计散热机制以确保安全运行。
    - 电路布局:优化电路布局以减小寄生电感,避免开关过程中的过压现象。
    - 驱动器选择:根据器件的栅极电荷和电容特性选择合适的驱动器,以提高系统整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他标准的电源应用电路板具有良好的兼容性。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,包括设计指南、应用笔记等,帮助客户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的驱动电压?
    - 解决方案:参考电气特性中的栅极阈值电压(VGS(TH))范围,通常选择高于VGS(TH)的驱动电压以确保可靠导通。
    2. 问题:是否可以在高温环境下使用?
    - 解决方案:查阅电气特性和热阻抗参数,根据具体环境温度选择合适的散热措施,确保器件不会超过最大允许温度。
    3. 问题:是否有防反接保护?
    - 解决方案:可以考虑在外围电路添加二极管或其他保护元件来防止反接导致的损坏。

    总结和推荐


    综上所述,NVMFS015N10MCL是一款高性能、高可靠性、紧凑设计的N沟道增强型MOSFET,特别适用于各种电源管理和电机控制应用。其低RDS(on)和优化的电容特性使得它在效率和稳定性方面具有明显的优势。如果您的应用需要高效率和紧凑的解决方案,强烈推荐使用此款器件。

NVMFS015N10MCLT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.338nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12.2mΩ@ 14A,10V
栅极电荷 19nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 282µA
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 3W(Ta),79W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS015N10MCLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS015N10MCLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS015N10MCLT1G NVMFS015N10MCLT1G数据手册

NVMFS015N10MCLT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.57
500+ ¥ 4.3943
1500+ ¥ 4.2185
3000+ ¥ 4.0427
库存: 2300
起订量: 250 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 45.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336