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2N7002VA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mW 20V 2.5V@ 250µA 2个N沟道 60V 7.5Ω@ 50mA,5V 280mA 50pF@25V SOT-563F 贴片安装 1.6mm*880μm*780μm
供应商型号: FL-2N7002VA
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2N7002VA

2N7002VA概述


    产品简介


    产品概述
    2N7002V 和 2N7002VA 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)。这款晶体管采用了小型表面贴装封装,适用于多种电路设计,特别是在需要高效开关性能的应用中表现优异。
    应用领域
    该产品广泛应用于电池充电电路、电机控制、LED驱动电路、电源管理和信号调节等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - VDSS(漏源击穿电压):60 V
    - VDGR(漏栅击穿电压):60 V
    - VGSS(栅源电压):连续 ±20 V,脉冲 ±40 V
    - 电流参数
    - ID(漏极电流):连续 280 mA,脉冲 1.5 A
    - 温度参数
    - TJ, TSTG(结温和存储温度范围):-55°C 至 +150°C
    - 热特性
    - RθJA(结到环境的热阻):500 °C/W
    - 静态参数
    - BVDSS(漏源击穿电压):60 V(典型值)
    - IDSS(零栅电压漏极电流):0.001 µA 至 1 µA
    - VGS(th)(栅阈电压):1.00 V 至 2.50 V
    - RDS(ON)(导通电阻):1.6 Ω 至 13.5 Ω
    - 动态参数
    - tD(ON)(开通延迟时间):5.85 ns 至 20 ns
    - tD(OFF)(关断延迟时间):12.5 ns 至 20 ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) 最小仅为 1.6 Ω,有助于减少功耗和发热。
    - 快速开关速度:开通和关断延迟时间短,提升整体系统效率。
    - 超小型封装:SOT-563F 封装尺寸小巧,适合高密度电路板设计。
    - 兼容RoHS标准:采用无铅设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池充电电路:2N7002V 可用于实现高效的电池充电电路,其低导通电阻和快速开关速度有助于提高充电效率。
    2. LED驱动电路:在LED驱动电路中,其快速响应时间和低功耗特性使其成为理想选择。
    3. 电源管理:可应用于各类电源管理模块,例如DC-DC转换器。
    使用建议
    - 电路布局:建议使用较小的寄生电容和较大的电源去耦电容来减小噪声。
    - 散热管理:虽然导通电阻低,但在高功率应用中仍需注意散热管理,以避免热过载。
    - 工作环境:考虑到工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保在极端环境下仍能稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2N7002V 和 2N7002VA 的 SOT-563F 封装与其他同类产品兼容,易于替换现有设计中的组件。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术文档和在线支持资源,以帮助用户进行应用开发和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开机瞬间电流过大导致器件损坏。
    - 解决方案:在电路设计中增加外部限流电阻,以限制开机瞬间的峰值电流。

    - 问题:器件发热严重,导致过早失效。
    - 解决方案:优化电路布局,确保良好的散热设计,必要时加装散热片或使用散热膏。

    总结和推荐


    综合评估
    2N7002V 和 2N7002VA 在低导通电阻和快速开关速度方面表现出色,非常适合于各种高性能应用场合。其紧凑的封装也使得它们在空间受限的设计中极为有用。
    推荐使用
    鉴于其优良的电气特性和广泛的适用性,我们强烈推荐在高效率和高性能需求的电路设计中使用 2N7002V 和 2N7002VA。同时,在选购时请务必确认最新的器件编号和封装信息,以便顺利集成到您的项目中。

2N7002VA参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
通道数量 2
配置
最大功率耗散 250mW
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 280mA
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 50mA,5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 1.6mm*880μm*780μm
通用封装 SOT-563F
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

2N7002VA厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N7002VA数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 2N7002VA 2N7002VA数据手册

2N7002VA封装设计

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