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FDZ299P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.7W(Ta) 12V 1.5V@ 250µA 9nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 55mΩ@ 4.6A,4.5V 4.6A 742pF@10V BGA 贴片安装 1.7mm*1.5mm*620μm
供应商型号: CY-FDZ299P
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDZ299P

FDZ299P概述

    FDZ299P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® BGA MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDZ299P 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 P-Channel PowerTrench BGA MOSFET,专为电池管理、负载开关和电池保护等应用而设计。这款 MOSFET 集成了先进的 2.5V 指定 PowerTrench 工艺和最新的 BGA 封装技术,旨在最小化 PCB 占用空间并提供低 RDS(ON)。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDSS): -20V
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±12V
    - 连续漏电流 (ID): -4.6A
    - 脉冲漏电流 (ID): -10A
    - 功耗 (PD): 1.7W (单次操作)
    - 热阻 (RθJA): 72°C/W
    - 逆向恢复时间 (trr): 18ns
    - 最大连续漏源二极管正向电流 (IS): -1.4A
    - 开关特性
    - 导通延迟时间 (td(on)): 9ns
    - 开关上升时间 (tr): 9ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 23ns
    - 关断下降时间 (tf): 14ns
    - 总栅电荷 (Qg): 6.6nC
    - 栅极到源极电荷 (Qgs): 1.6nC
    - 栅极到漏极电荷 (Qgd): 1.8nC
    - 静态特性
    - 门阈电压 (VGS(th)): -0.6V 至 -1.5V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -4.5V,ID = -4.6A 下: 55mΩ
    - 在 VGS = -2.5V,ID = -3.6A 下: 80mΩ

    产品特点和优势


    - 高集成度: FDZ299P 的封装体积仅为 2.25 mm²,只有 SSOT-6 封装的一半,显著减少了 PCB 占用空间。
    - 优越的热性能: 具有出色的热传递特性,是 SSOT-6 封装的四倍。
    - 低 RDS(on): 在 VGS = -4.5V 和 VDS = -4.6A 条件下,RDS(on) 低至 55mΩ。
    - 超薄封装: 安装后高度不到 0.80mm。
    - 高电流处理能力: 能够处理高达 -4.6A 的电流。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: FDZ299P 常用于电池管理系统、负载开关及电池保护等场合。例如,在电动汽车电池管理系统中,它可以有效管理电池充电和放电过程中的电流流动。
    - 使用建议: 为了优化性能,建议在高电流应用中使用具有低 RDS(on) 的 FDZ299P,以减少功耗。在高频率应用中,应特别注意开关时间和栅极电荷特性,以确保最佳的转换效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDZ299P 与多种电路板设计和制造标准兼容。它可以通过标准的 BGA 接口安装到 PCB 上。
    - 支持: Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括用户手册、应用笔记和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高频开关过程中,FDZ299P 的性能不佳。
    - 解决方案: 确保适当的栅极电阻值和降低栅极电荷 (Qg),以减少开关损耗。

    - 问题: 在高功率应用中,FDZ299P 发热严重。
    - 解决方案: 使用大面积铜垫并优化 PCB 布局,提高散热效率。

    总结和推荐


    FDZ299P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 是一款高性能、高集成度的产品,适用于多种高要求的应用场合。其低 RDS(on)、高电流处理能力和优秀的热性能使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在需要高效、紧凑且可靠的 MOSFET 的应用中使用 FDZ299P。

FDZ299P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 742pF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
通道数量 1
栅极电荷 9nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 4.6A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 4.6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1.7W(Ta)
配置 独立式
长*宽*高 1.7mm*1.5mm*620μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDZ299P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDZ299P数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDZ299P FDZ299P数据手册

FDZ299P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2509 ¥ 2.1596
500+ $ 0.2486 ¥ 2.14
1000+ $ 0.2416 ¥ 2.0418
5000+ $ 0.2416 ¥ 2.0418
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