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FDB2614

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=200 V, 62 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 1495274
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB2614

FDB2614概述

    FDB2614 N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDB2614 是一款由 ON Semiconductor(前身为 Fairchild Semiconductor)生产的 N-Channel PowerTrench® MOSFET。这款器件以其低导通电阻(RDS(on))、高性能及强大的电流处理能力而著称。该器件特别适用于同步整流、电池保护电路、电机驱动和不间断电源系统等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):200 V
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 持续漏电流 (ID):62 A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):见图 9
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):145 mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:4.5 V/ns
    - 最大耗散功率 (PD):260 W (TC = 25°C)
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 +150°C
    - 热特性
    - 热阻,结至外壳 (RθJC):最大 0.48°C/W
    - 热阻,结至环境 (RθJA):最大 40°C/W 或 62.5°C/W(取决于散热条件)
    - 其他参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):22.9 mΩ (典型值,VGS = 10 V, ID = 31 A)
    - 输入电容 (Ciss):5435 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):22.9 mΩ (典型值),在 VGS = 10 V, ID = 31 A 条件下,保证了更低的功耗和更高的效率。
    - 高电流处理能力:连续漏电流高达 62 A,峰值漏电流达 186 A,满足高强度应用需求。
    - 高可靠性:采用先进的 PowerTrench® 工艺,确保了长期可靠性和优异的开关性能。
    - 高性能:快速开关特性,适用于高频应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 同步整流:在电源适配器和充电器中广泛用于提升效率和降低功耗。
    - 电池保护电路:提供可靠的过流保护,延长电池寿命。
    - 电机驱动:适用于电动工具和工业电机控制。
    - 不间断电源 (UPS):确保电源供应的稳定性,提高系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 在使用时确保栅极驱动电压(VGS)不超过 ±30 V,以防止栅极损坏。
    - 需要良好的散热措施来确保器件的正常工作,特别是在高功率应用中。
    - 为避免热应力,建议使用散热垫或散热片,并确保热阻符合要求。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:FDB2614 使用 D2-PAK 封装,便于表面贴装。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和在线资源,包括数据手册、应用笔记和技术论坛。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定合适的栅极驱动电压?
    - A: 栅极驱动电压(VGS)必须介于 -30 V 和 +30 V 之间。最佳值通常为 VGS = 10 V。

    - Q: 在高功率应用中如何确保足够的散热?
    - A: 使用大尺寸散热片或散热垫,确保热阻 RθJA 低于推荐值,以保持结温在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    FDB2614 N-Channel PowerTrench MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,适合多种应用场合。其低导通电阻、高电流处理能力和优良的开关性能使其成为设计中不可或缺的一部分。如果需要高效的电源转换和管理解决方案,强烈推荐使用此器件。

    通过本技术手册,用户可以详细了解 FDB2614 N-Channel PowerTrench MOSFET 的特性及其在实际应用中的表现。我们鼓励用户参考详细的技术资料并遵循制造商的指导进行正确使用。

FDB2614参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.23nF@25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 31A,10V
最大功率耗散 260W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 99nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 62A
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FDB2614厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB2614数据手册

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FDB2614封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 22.4644
100+ ¥ 21.6621
500+ ¥ 21.6621
800+ ¥ 21.6621
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