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NVD5117PLT4G-VF01

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4.1W(Ta),118W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 85nC@ 10 V 1个P沟道 60V 16mΩ@ 29A,10V 11A,61A 4.8nF@25V DPAK 贴片安装
供应商型号: 14M-NVD5117PLT4G-VF01
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5117PLT4G-VF01

NVD5117PLT4G-VF01概述

    NVD5117PL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVD5117PL 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC 生产的高性能单片 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它被广泛应用于电源管理、电池充电控制和电机驱动等领域。该产品具有低导通电阻、高电流能力和雪崩能量等级等特点,满足AEC-Q101质量标准,并且符合RoHS要求,是无铅、无卤素和无BFR的产品。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极到源极电压 (VDSS): -60V
    - 栅极到源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 25°C时为-61A;100°C时为-43A
    - 功率耗散 (PD): 25°C时为118W;100°C时为59W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 在25°C、50V下为240mJ
    - 工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻抗
    - 结至外壳热阻 (RJC): 稳态下为1.3°C/W
    - 结至环境热阻 (RJA): 稳态下为37°C/W
    - 电气特性
    - 漏极到源极开启电压 (V(BR)DSS): VGS=0V时为-60V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): VGS=0V时为-1.0μA
    - 栅极到源极泄漏电流 (IGSS): VDS=0V时为±100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS=-10V时为12mΩ
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 22ns
    - 上升时间 (tr): 195ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 50ns
    - 下降时间 (tf): 132ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (Low RDS(on)): 最小化传导损耗,适用于需要高效能的应用。
    - 高电流能力: 保证在大电流环境下稳定运行。
    - 雪崩能量指定 (Avalanche Energy Specified): 提高电路可靠性,防止因瞬时高压导致的损坏。
    - AEC-Q101认证: 通过车规级认证,适合汽车电子应用。
    - 环保材料: 无铅、无卤素和无BFR,符合RoHS标准,减少环境污染。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:如直流转换器和稳压器。
    - 电池充电控制:用于智能设备的充电管理。
    - 电机驱动:如电动工具和工业机器人。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到最大额定值,避免过载导致设备损坏。
    - 使用合适的栅极电阻 (RG) 来优化开关时间和降低功耗。
    - 注意散热设计,确保结温在安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与大多数标准栅极驱动器兼容,可以灵活搭配其他电子元件使用。
    - 支持和维护: 提供详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户能够顺利使用并获得最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或改进冷却系统。
    - 问题2: 开关过程中效率下降。
    - 解决方案: 优化栅极电阻 (RG),减小开关时间和导通电阻 (RDS(on))。

    7. 总结和推荐


    NVD5117PL MOSFET是一款具有高可靠性和高效能的产品,特别适合于需要低导通电阻和高电流能力的应用。其强大的电气特性和优良的设计使其成为电源管理和电机驱动领域的理想选择。强烈推荐该产品用于各种需要高效、可靠电子元件的应用场合。

NVD5117PLT4G-VF01参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.8nF@25V
栅极电荷 85nC@ 10 V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 29A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 11A,61A
最大功率耗散 4.1W(Ta),118W(Tc)
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVD5117PLT4G-VF01厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5117PLT4G-VF01数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5117PLT4G-VF01 NVD5117PLT4G-VF01数据手册

NVD5117PLT4G-VF01封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 7.9238
30+ ¥ 6.9574
100+ ¥ 6.7642
300+ ¥ 6.5053
1000+ ¥ 6.3158
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