处理中...

首页  >  产品百科  >  NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5V@ 250µA 41nC@ 10V 2个N沟道 40V 10mΩ@ 50A,10V 14A 2.103nF@25V DPAK-5 贴片安装
供应商型号: FL-NVDD5894NLT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G概述


    产品简介


    Power MOSFET 40 V, 10 mΩ, 64 A, 双N通道
    - 产品类型: Power MOSFET
    - 主要功能: 高效开关、电流控制、电压保护
    - 应用领域: 汽车电子、电源管理、电机驱动、通信设备

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | - | 40 | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | -20 | - | 20 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 64 | - | - | A |
    | 功率耗散 | PD | - | 75 | - | W |
    | 单脉冲漏极电流| IDM | - | 324 | - | A |
    | 运行结温和存储温度 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 可以将导通损耗降到最低。
    2. 高电流能力: 支持高达64 A的连续漏极电流。
    3. 雪崩能量指定: 在雪崩模式下具有可靠的工作表现。
    4. 符合AEC-Q101标准: 适合汽车应用。
    5. 环保材料: 无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(RoHS合规)。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 广泛应用于汽车电子系统(如ABS和动力转向系统)、工业电源转换器、通讯设备等。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,如安装散热片或采用强制风冷。
    - 使用大容量电容滤波,减少开关过程中的电压波动。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种电路板设计和封装尺寸。
    - 支持和维护: 厂商提供详尽的技术文档和在线技术支持,以确保客户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保栅极电压达到额定值,检查电路连接 |
    | 温度过高 | 加强散热措施,如增加散热片 |
    | 开关时间过长 | 减少外部寄生电容,优化电路布局 |

    总结和推荐


    这款40 V、10 mΩ、64 A的双N通道Power MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流能力和良好的电气性能,在多个应用领域表现出色。特别是其环保特性(无铅、无卤素、RoHS合规),使其成为现代电子设备的理想选择。推荐在需要高性能、可靠性和环保特性的应用中使用。

NVDD5894NLT4G参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 14A
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 50A,10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 41nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.103nF@25V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 DPAK-5
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NVDD5894NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVDD5894NLT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVDD5894NLT4G NVDD5894NLT4G数据手册

NVDD5894NLT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.5962 ¥ 5.0495
库存: 2500
起订量: 1000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.04
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504