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NTD25P03L1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W(Tj) 15V 2V@ 250µA 20nC@ 5 V 1个P沟道 30V 80mΩ@ 25A,5V 25A 1.26nF@25V TO-251 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.35mm
供应商型号: CEI-NTD25P03L1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD25P03L1

NTD25P03L1概述


    产品简介


    NTD25P03L 是一款由安森美半导体公司生产的P沟道逻辑电平功率MOSFET(场效应晶体管)。它主要用于低电压高速开关应用,并能够承受高能量的雪崩和换向模式。该MOSFET具有源极到漏极二极管恢复时间短的优点,相当于一个分立的快速恢复二极管。这些特性使其成为PWM电机控制、电源供应、转换器和桥式电路等应用的理想选择。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-30 V
    - 栅源电压(VGS)连续:±15 V
    - 单脉冲最大栅源电压(VGSM):±20 V
    - 漏电流(ID)连续:-25 A
    - 单脉冲最大漏电流(IDM):-75 A
    - 总功耗(TA = 25°C):75 W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55至+150°C
    - 单脉冲漏源雪崩能量(EAS):200 mJ
    - 热阻(RJC):1.65°C/W
    - 铅端焊接温度(TL):260°C
    典型电气特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):典型值为51 mΩ@5.0 V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):典型值为-1.0 V
    - 输入电容(Ciss):典型值为900 pF
    - 输出电容(Coss):典型值为290 pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值为105 pF
    - 开关时间(td(on)):9.0至20 ns
    - 上升时间(tr):37至75 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):15至30 ns
    - 下降时间(tf):16至55 ns
    - 栅电荷(QT):15至20 nC

    产品特点和优势


    NTD25P03L 的独特功能和优势包括:
    - AEC-Q101认证:适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用。
    - 无铅和RoHS合规:符合环保标准,适用于对环境保护有严格要求的场合。
    - 短恢复时间和低反向恢复存储电荷:适用于需要快速响应的应用,如高频开关电源和电机驱动系统。
    - 高可靠性:耐受高温和高能环境,适用于恶劣工作条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - PWM电机控制:适合用于驱动永磁同步电机(PMSM)和其他类型的电机,实现高效的电机控制。
    - 电源供应:在各种DC-DC转换器中作为开关器件,以提高效率并减少热损耗。
    - 桥式电路:常用于逆变器和电机控制系统的桥臂中,提供快速开关速度。
    使用建议
    - 在使用时应注意工作电压和电流不要超过额定值,以避免损坏器件。
    - 对于高频应用,确保电路布局和走线合理,减少寄生电感的影响,从而减少电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品设计为与其他电子元器件和设备兼容,适用于多种应用。
    - 支持:安森美半导体提供详细的文档和技术支持,包括设计指南、应用笔记和在线技术支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最大漏源电压?
    - 解决方案:查阅数据手册,确保实际工作电压不超过最大额定值-30 V。
    2. 问题:在高频应用中如何减少噪声?
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感和电容,使用适当的滤波器来降低噪声水平。
    3. 问题:如何确定合适的栅电荷?
    - 解决方案:根据具体应用需求和负载特性,选择合适的栅电荷值,参考数据手册中的图表进行计算。

    总结和推荐


    NTD25P03L 是一款高性能的P沟道逻辑电平功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。它的关键优点包括高可靠性、快速响应能力和环保特性。推荐给需要高效、稳定且环保的电源管理和电机控制应用的用户。如果您正在寻找一款能够在严苛环境下工作的MOSFET,这款产品无疑是一个值得考虑的选择。

NTD25P03L1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 25A,5V
Vgs-栅源极电压 15V
栅极电荷 20nC@ 5 V
最大功率耗散 75W(Tj)
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 25A
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.26nF@25V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.35mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD25P03L1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD25P03L1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD25P03L1 NTD25P03L1数据手册

NTD25P03L1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.754 ¥ 6.3713
500+ $ 0.702 ¥ 5.9319
1000+ $ 0.598 ¥ 5.0531
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