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MTD20P06HDLT4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 72W(Tc) 15V 2V@ 250µA 29nC@ 5 V 1个P沟道 60V 175mΩ@ 7.5A,5V 50A 1.19nF@25V TO-252-3 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
供应商型号: LDL-MTD20P06HDLT4
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) MTD20P06HDLT4

MTD20P06HDLT4概述

    # MTD20P06HDL Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本信息
    MTD20P06HDL 是一款 P 沟道增强型逻辑电平功率 MOSFET,设计用于低电压、高速开关应用。其关键规格为:
    - 最大连续漏极电流(ID):20A
    - 最高漏源击穿电压(VDSS):60V
    - 封装形式:DPAK
    主要功能
    这款 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、高单元密度及快恢复二极管等显著特点,适合应用于电源管理、转换器、PWM 电机控制以及各种感性负载的电路设计。
    应用领域
    MTD20P06HDL 广泛适用于以下领域:
    - 开关电源
    - 电机驱动控制器
    - 不间断电源 (UPS)
    - 汽车电子系统

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册整理出的主要技术规格:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源击穿电压 (VDSS) | V | - | 60 | - |
    | 栅源击穿电压 (VGS) | V | -15 | - | 15 |
    | 漏极连续电流 (ID) | A | - | 20 | - |
    | 单脉冲漏极峰值电流 (IDM) | A | - | - | 45 |
    | 静态漏源导通电阻 (RDS(on)) | mΩ | - | 175 | - |
    | 栅极输入电容 (Ciss) | pF | - | 850 | 1190 |
    | 输出电容 (Coss) | pF | - | 210 | 290 |
    | 反向传输电容 (Crss) | pF | - | 66 | 130 |

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 超低 RDS(on):典型值仅为 175mΩ,有效降低功耗。
    - 快速恢复二极管:适用于桥式电路,具有快速反向恢复时间 (trr) 和低存储电荷 (QRR)。
    - 高可靠性:能够在雪崩模式下承受高能量,确保安全运行。
    - 逻辑电平驱动:支持标准逻辑电平信号直接驱动,简化外围电路设计。
    市场竞争力
    与其他同类型器件相比,MTD20P06HDL 在功耗、开关速度和可靠性方面表现出色,尤其适用于对空间有限但效率要求较高的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电源管理:作为同步整流器用于 DC-DC 转换器中。
    - 电机驱动:控制高感性负载的电机,提供精确的电流调节。
    - 汽车电子:适用于汽车的启动发电机或刹车能量回收系统。
    使用建议
    1. 散热管理:由于其高功耗能力,在长时间工作时需要良好的散热措施,如安装散热片或采用导热胶。
    2. 匹配外部元件:在高速开关应用中,建议合理选择栅极电阻 (RG),以避免振铃现象。
    3. 保护机制:为防止过压或过流,应在电路中加入保护电路,例如瞬态电压抑制器 (TVS) 或保险丝。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    MTD20P06HDL 支持多种标准 PCB 表面贴装工艺,并与同类封装(如 TO-252)保持良好的引脚兼容性,便于替换现有设计。
    厂商支持
    ON Semiconductor 提供全面的技术文档和客户支持服务,包括详细的电气参数测试报告、热仿真工具及参考设计案例,确保用户能够快速集成到系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中产生振铃 | 增加外置 RC 滤波器或调整栅极电阻值。 |
    | 工作温度过高 | 加强散热设计或更换更大功率等级的产品。 |
    | 开关速度慢 | 降低栅极电容值或优化驱动电路布局。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    MTD20P06HDL 是一款高性能的功率 MOSFET,以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性著称。无论是电源管理还是电机驱动领域,都展现出了强大的竞争力。
    推荐使用情况
    我们强烈推荐该产品用于以下场景:
    - 需要高效能且紧凑设计的应用;
    - 对开关速度有较高要求的应用;
    - 希望减少功耗并提高系统整体效率的设计。
    综上所述,MTD20P06HDL 是一款值得信赖的电子元器件,非常适合现代电力电子系统的开发需求。

MTD20P06HDLT4参数

参数
栅极电荷 29nC@ 5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@ 7.5A,5V
配置 独立式
最大功率耗散 72W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 50A
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

MTD20P06HDLT4厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MTD20P06HDLT4数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR MTD20P06HDLT4 MTD20P06HDLT4数据手册

MTD20P06HDLT4封装设计

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