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FDS7060N7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta) 20V 3V@ 250µA 56nC@ 5V 1个N沟道 30V 5mΩ@ 19A,10V 19A 3.274nF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: CY-FDS7060N7
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS7060N7

FDS7060N7概述

    FDS7060N7 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDS7060N7 是一款由 Fairchild Semiconductor 公司设计的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET,专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。该器件特别适用于同步或常规开关 PWM 控制器的低侧同步整流操作。其主要功能包括极低的 RDS(ON) 值和高电流处理能力,使其在多种应用中表现出色。

    技术参数


    以下是 FDS7060N7 的主要技术规格:
    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):30V
    - 栅源电压(VGSS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):19A
    - 单次脉冲功率(PD):3.0W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RθJA):40°C/W
    - 热阻(RθJC):0.5°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(ON)):5mΩ@VGS=10V,7mΩ@VGS=4.5V
    - 零栅压漏电流(IDSS):1μA
    - 输入电容(Ciss):3274pF
    - 输出电容(Coss):721pF
    - 反向传输电容(Crss):283pF
    - 总栅极电荷(Qg):35nC
    - 开启延迟时间(td(on)):11ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):60ns
    - 栅极-源极电荷(Qgs):10nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):12nC

    产品特点和优势


    - 高性能沟槽技术:FDS7060N7 使用高性能沟槽技术,实现了极低的 RDS(ON),从而提高了能效。
    - 高功率和电流处理能力:其高电流处理能力使其适用于各种高功率应用。
    - 快速开关:低栅极电荷(35nC)和快速开关时间(11ns 开启延迟时间)使其在高频应用中表现优异。
    - 增强的热性能:FLMP SO-8 封装提供了增强的热性能,适合在标准封装尺寸内实现高效散热。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:FDS7060N7 特别适用于同步整流应用,能够显著降低损耗,提高系统效率。
    - DC/DC 转换器:在 DC/DC 转换器中使用时,可以减少发热并延长设备寿命。
    - 使用建议:在设计电路时,应注意散热问题,特别是在高功率应用中。合理选择 PCB 布局和散热片,以确保器件在正常工作范围内运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDS7060N7 采用标准 SO-8 封装,易于与其他标准器件兼容。
    - 支持和维护:Fairchild Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:器件过热
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如使用散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题 2:栅极噪声
    - 解决方案:增加栅极电阻或使用栅极驱动器来减少噪声干扰。
    - 问题 3:开关速度慢
    - 解决方案:检查电路布局和电源去耦电容,确保正确的栅极驱动条件。

    总结和推荐


    FDS7060N7 在多个方面表现出色,尤其在高效率和高可靠性方面。其低 RDS(ON) 和快速开关特性使其成为同步整流和 DC/DC 转换器的理想选择。结合其增强的热性能和强大的技术支持,推荐在需要高性能和可靠性的应用中使用该器件。

FDS7060N7参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 56nC@ 5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.274nF@15V
Id-连续漏极电流 19A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 19A,10V
最大功率耗散 3W(Ta)
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDS7060N7厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS7060N7数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS7060N7 FDS7060N7数据手册

FDS7060N7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.3107 ¥ 11.1756
100+ $ 1.2871 ¥ 11.0758
300+ $ 1.2753 ¥ 10.976
500+ $ 1.2635 ¥ 10.8762
1000+ $ 1.2281 ¥ 10.3773
5000+ $ 1.2281 ¥ 10.3773
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起订量: 90 增量: 1
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