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2N7002K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-2N7002K
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2N7002K

2N7002K概述


    产品简介


    2N7002K小信号MOSFET是一款单通道N沟道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),适用于多种应用场景。它采用表面贴装封装(SOT-23),能够处理高达60伏特的漏源电压(VDSS)和380毫安的持续漏电流(ID)。这款产品具有低导通电阻(RDS(on)),并且具备静电放电保护功能(ESD),使其在各种便携式设备及工业应用中表现出色。

    技术参数


    以下是2N7002K的详细技术参数:
    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID)
    - 环境温度为25°C时:380 mA
    - 环境温度为85°C时:270 mA
    - 脉冲漏电流 (IDM): 5.0 A(tp = 10 μs)
    - 工作结温范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 源极电流 (IS): 300 mA
    - 铅温度 (TL): 260°C
    - 电气特性
    - 开启阈值电压 (VGS(TH)): 1.0 V 至 2.3 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on))
    - VGS = 10 V, ID = 500 mA 时:1.19 Ω 至 1.6 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 200 mA 时:1.33 Ω 至 2.5 Ω
    - 反向传输电容 (CRSS): 2.2 pF 至 5.0 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 0.7 nC
    - 热特性
    - 结到环境的热阻 (RθJA)
    - 1平方英寸焊盘大小时:300°C/W(稳态)
    - 最小焊盘大小时:154°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    2N7002K小信号MOSFET的主要特点是其低导通电阻(RDS(on)),使得在高电流下也能保持较低的功耗,非常适合用于便携式设备如数字相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。此外,其铅-free、无卤素、无BFR、符合RoHS标准的设计使得其更加环保。AEC-Q101认证也表明它在汽车和需要严格质量控制的应用中具有良好的表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 低压侧负载开关:适用于控制低侧电路中的电源,如电池管理系统。
    - 电压水平移位电路:可以用来将一个电路中的电压水平转换到另一个电路中,用于通信接口等。
    - DC-DC转换器:作为开关元件实现电压转换。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保栅源电压(VGS)不超过±20V以避免击穿现象。
    - 对于高功率应用,选择较大的焊盘以减少热阻并提高散热效率。
    - 为延长使用寿命,尽量避免在高温环境下长时间运行。

    兼容性和支持


    该产品与市面上主流的电子设备和电路板兼容良好。制造商提供了全面的技术支持文档,并可通过官网获取更多资源。客户还可以通过在线支持渠道获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备无法正常开启
    - 解决办法: 检查栅极电压(VGS)是否达到启动阈值电压(VGS(TH))。
    2. 问题: 导通电阻过高导致发热严重
    - 解决办法: 检查焊接质量,使用较大焊盘尺寸并优化散热设计。
    3. 问题: 电压不稳定
    - 解决办法: 确认电路设计合理,特别是在大电流工作条件下。

    总结和推荐


    综上所述,2N7002K是一款出色的N沟道MOSFET,特别适合于便携式电子设备及汽车应用。其低导通电阻、较高的温度稳定性及广泛的工作环境适应能力使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐用于需要高效、可靠、小型化电子元件的场合。

2N7002K参数

参数
栅极电荷 0.7nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 250µA
最大功率耗散 300mW(Ta)
Id-连续漏极电流 300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 24.5pF@20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 2.9mm*130cm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

2N7002K厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N7002K数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 2N7002K 2N7002K数据手册

2N7002K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.31
150+ ¥ 0.28
500+ ¥ 0.25
3000+ ¥ 0.235
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