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FDMS003N08C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.7W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 310µA 73nC@ 10 V 1个N沟道 80V 3.1mΩ@ 56A,10V 22A,147A 5.35nF@40V 贴片安装
供应商型号: FDMS003N08C
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS003N08C

FDMS003N08C概述

    FDMS003N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    产品简介


    FDMS003N08C是一款由ON Semiconductor(现称为onsemi)生产的N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET,适用于广泛的电力转换应用。这款MOSFET集成了先进的Shielded Gate技术,能够显著降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。它广泛应用于直流-直流变换器的主MOSFET、同步整流、电机驱动和太阳能系统等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 80V
    - 最大漏极电流(ID):
    - 连续模式:25°C时147A;100°C时92A
    - 脉冲模式:658A
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - VGS=10V, ID=56A时:3.1mΩ
    - VGS=6V, ID=28A时:8.1mΩ
    - 功率耗散(PD):
    - 25°C时125W
    - 环境温度为25°C时:2.7W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C至+150°C
    - 热阻(RθJC): 1°C/W
    - 热阻(RθJA): 45°C/W
    - 封装类型: Power 56
    - 订购信息: 每个卷轴包含3000个单元

    产品特点和优势


    1. 屏蔽栅技术:通过独特的屏蔽栅结构,实现了更低的导通电阻和更高的耐压性能。
    2. 低损耗特性:相较于其他供应商,反向恢复电荷(Qrr)减少50%,从而降低开关噪声和电磁干扰(EMI)。
    3. 稳健封装设计:采用了MSL1级封装设计,确保在恶劣环境下的稳定性能。
    4. 全面测试:所有产品均经过100%的无负载冲击测试(UIL),保证可靠性。
    5. 环保材料:符合RoHS标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    FDMS003N08C可广泛应用于各类电力转换电路中。例如,在一个典型的直流-直流变换器中,它可以作为主MOSFET来提升整体效率。使用过程中,建议:
    - 在高温环境下使用时,需要特别注意散热措施,以避免过热损坏。
    - 当使用PWM控制信号时,应关注输入电容和输出电容的选择,以优化电路性能。
    - 对于大电流应用,建议采用散热板或冷却液,确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以与大多数常见的控制器和其他电子元器件配合使用。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决可能遇到的问题。此外,可以通过访问官方网站获得最新的技术文档和应用指南。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过温故障?
    - 答:确保散热设计合理,如增加散热片或风扇,并避免长时间在极限条件下运行。

    2. 问:为何选择该产品作为直流-直流变换器的主MOSFET?
    - 答:该产品具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,能够显著提高能效并减少热损耗。
    3. 问:如何解决反向恢复问题?
    - 答:使用外部缓冲电路或改进PCB布局,减少寄生电感,有助于减轻反向恢复问题的影响。

    总结和推荐


    FDMS003N08C凭借其卓越的性能、优秀的电气特性和广泛的适用性,成为电力转换领域的理想选择。其低导通电阻和出色的开关性能使其在各种高效率应用中表现优异。强烈推荐给那些寻求高性能、高可靠性的电源解决方案的设计工程师和制造商。

FDMS003N08C参数

参数
最大功率耗散 2.7W(Ta),125W(Tc)
Id-连续漏极电流 22A,147A
栅极电荷 73nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 310µA
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.35nF@40V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1mΩ@ 56A,10V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS003N08C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS003N08C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS003N08C FDMS003N08C数据手册

FDMS003N08C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 26.8375
10+ ¥ 25.3346
100+ ¥ 24.4758
500+ ¥ 23.617
库存: 2000
起订量: 1 增量: 0
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