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NVMJS0D8N04CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4.2W(Ta),180W(Tc) 2V@ 250µA 162nC@ 10 V 1个N沟道 40V 720μΩ@ 50A,10V 368A;56A 9.6nF@25V LFPAK-8 贴片安装
供应商型号: CY-NVMJS0D8N04CLTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMJS0D8N04CLTWG

NVMJS0D8N04CLTWG概述

    # NVMJS0D8N04CL MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMJS0D8N04CL 是一款高性能的单通道 N 沟道 MOSFET,专为电源管理和高性能应用设计。它采用行业标准的 LFPAK8 封装,具有小型化(5x6mm)设计和极低的导通电阻(RDS(on)),是紧凑型和高效能电路的理想选择。此款器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信系统以及汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是 NVMJS0D8N04CL 的关键技术规格:
    - 额定电压 (VDSS):40V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C:368A
    - TC=100°C:260A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC=25°C:180W
    - TC=100°C:90W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=10V:0.72mΩ
    - VGS=4.5V:1.15mΩ
    - 栅极电荷 (QG(TOT)):
    - VGS=4.5V:78nC
    - VGS=10V:162nC
    - 开关延迟时间 (td(ON)):36ns
    - 反向恢复时间 (tRR):83ns
    工作环境
    - 最大结温和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 焊接温度:260°C(10秒)

    产品特点和优势


    1. 小尺寸封装:5x6mm 的封装设计,非常适合紧凑型设计需求。
    2. 低 RDS(on):0.72mΩ(VGS=10V),显著降低了导通损耗,提高了效率。
    3. 低 QG 和低电容特性:降低了驱动损耗,适合高频开关应用。
    4. 行业标准封装:LFPAK8 封装,易于集成和焊接。
    5. 高可靠性认证:AEC-Q101 资格认证和 PPAP 能力,适用于汽车及工业应用。
    6. 环保合规:无铅且符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业控制:用于电机驱动和电源转换系统中,以实现高效的能量传输。
    - 消费电子:适用于笔记本电脑和智能手机的充电管理模块。
    - 汽车电子:作为车载电池管理系统的核心组件,保障车辆的安全运行。
    使用建议
    - 在高频开关应用中,注意选择合适的栅极电阻(RG),以平衡开关速度和功耗。
    - 高温环境下,建议使用热阻较低的 PCB 板材和散热器,确保器件正常工作。

    兼容性和支持


    NVMJS0D8N04CL 与多种电路板设计兼容,特别是采用 LFPAK8 封装的同类产品。ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详尽的数据手册、样品供应和技术咨询。此外,公司还提供在线资源,帮助客户快速上手并优化设计方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断是否超过最大电流限制?
    - 解决方案:通过监测结温(TJ)来确认实际工作条件下的最大电流值。
    2. 问:如何改善开关性能?
    - 解决方案:减少总栅极电荷(QG(TOT))和降低寄生电容,可以有效提高开关速度。
    3. 问:长时间工作后发热严重怎么办?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用更大面积的铜箔散热片。

    总结和推荐


    NVMJS0D8N04CL 是一款集高效能、低成本和高可靠性的 MOSFET 产品,特别适合需要紧凑设计和高性能的应用场合。其优异的导通电阻、低栅极电荷和良好的温度适应性使其在市场上具有显著的竞争优势。总体而言,我们强烈推荐这款产品给需要高能效和稳定性能的设计师和工程师们。

NVMJS0D8N04CLTWG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 720μΩ@ 50A,10V
通道数量 -
最大功率耗散 4.2W(Ta),180W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.6nF@25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 162nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 368A;56A
通用封装 LFPAK-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMJS0D8N04CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMJS0D8N04CLTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMJS0D8N04CLTWG NVMJS0D8N04CLTWG数据手册

NVMJS0D8N04CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.2045 ¥ 10.2694
100+ $ 1.1828 ¥ 10.1777
300+ $ 1.1719 ¥ 10.0861
500+ $ 1.1611 ¥ 9.9944
1000+ $ 1.1285 ¥ 9.5359
5000+ $ 1.1285 ¥ 9.5359
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