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NVMFS5C682NLWFAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),28W(Tc) 20V 2V@ 16µA 5nC@ 10 V 1个N沟道 60V 21mΩ@ 10A,10V 8.8A,25A 410pF@25V SO-FL 贴片安装 4.9mm(长度)*590cm(宽度)
供应商型号: NVMFS5C682NLWFAFT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C682NLWFAFT1G

NVMFS5C682NLWFAFT1G概述

    NVMFS5C682NL MOSFET 技术手册概述
    本文档将详细介绍来自ON Semiconductor公司的NVMFS5C682NL型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的关键技术和应用特性。这款MOSFET是一款单通道N沟道器件,具有卓越的性能和多种设计优势。

    产品简介


    NVMFS5C682NL是一款N沟道MOSFET,主要用于电源管理和转换应用。其主要特点包括小尺寸封装(5x6mm),低导通电阻(RDS(on)),低栅极电荷(QG),并具备湿法边缘选项(Wettable Flank Option)以增强光学检测。此外,它还符合AEC-Q101标准,支持PPAP能力,并且无铅且符合RoHS标准。

    技术参数


    以下是NVMFS5C682NL的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | VDSS | 60 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(稳态) | ID | 25(TC=25°C), 18(TC=100°C) | A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | 28(TC=25°C), 14(TC=100°C) | W |
    | 热阻(稳态) | RJC | 5.3 | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55至+175 | °C |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | 60 | V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 10(TJ=25°C),250(TJ=125°C) | μA |

    产品特点和优势


    NVMFS5C682NL具有如下显著优势:
    - 小尺寸封装:5x6mm的紧凑设计适合于需要空间节省的应用场合。
    - 低导通电阻:最小为21毫欧姆(在VGS=10V时),能显著减少导通损耗。
    - 低栅极电荷:典型值为2.5nC(VGS=4.5V时),有助于降低驱动损耗。
    - Wettable Flank Option:提供增强的光学检测,便于安装和调试。
    - 可靠性:符合AEC-Q101标准,确保长期稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C682NL适用于各种电力转换和电源管理应用,如开关电源、电机驱动器和电池管理系统等。在具体应用中,建议在高电流条件下使用时需考虑散热设计,避免过热损坏。此外,考虑到其低栅极电荷的特点,选择适当的驱动电路可以进一步提升效率。

    兼容性和支持


    该产品与同类电源管理和转换应用中的其他组件兼容良好,适用于多种FR4基板上的表面贴装技术(SMT)。ON Semiconductor提供了详尽的技术支持文档和在线资源,包括电气特性表、热特性图等,以帮助客户更好地理解和使用此产品。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方案包括:
    - Q: 产品温度过高?
    A: 确保散热设计足够,采用合适的散热片或热界面材料。
    - Q: 导通电阻增大?
    A: 检查驱动电压是否达到最佳值(10V),调整驱动电路确保RDS(on)处于最优状态。

    总结和推荐


    NVMFS5C682NL凭借其小尺寸、低导通电阻和高可靠性等优势,在电力管理和转换应用中表现出色。其广泛的适用性和良好的市场表现使其成为一款值得推荐的产品。对于追求高性能和紧凑设计的应用来说,这款MOSFET是理想的选择。

NVMFS5C682NLWFAFT1G参数

参数
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 410pF@25V
栅极电荷 5nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 16µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.5W(Ta),28W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@ 10A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 8.8A,25A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm(长度)*590cm(宽度)
通用封装 SO-FL
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C682NLWFAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C682NLWFAFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C682NLWFAFT1G NVMFS5C682NLWFAFT1G数据手册

NVMFS5C682NLWFAFT1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ ¥ 21.1875
4500+ ¥ 20.679
7500+ ¥ 20.001
15000+ ¥ 19.4925
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起订量: 1500 增量: 1500
交货地:
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