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FDB86102LZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 21nC@ 10 V 1个N沟道 100V 24mΩ@ 8.3A,10V 8.3A,30A 1.275nF@50V TO-263AB 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: AV-S-FDB86102LZ
供应商: Avnet
标准整包数: 800
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB86102LZ

FDB86102LZ概述

    FDB86102LZ N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDB86102LZ 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的高性能 N-Channel PowerTrench® MOSFET。这款 MOSFET 具有极低的导通电阻(rDS(on))和快速开关速度,适用于各种直流-直流转换、逆变器及同步整流器应用。凭借先进的制造工艺,它能够实现低损耗和高效率。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 100 | V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 30 (包限),40 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS)| 121 | mJ |
    | 功耗 (PD) | 3.1 (Ta=25°C) | W |
    | 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG) | -55 到 +150 | °C |
    | 热阻 (RθJC) | 1.9 | °C/W |
    | 输入电容 (Ciss) | 959 到 1275 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 181 到 240 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | 9 到 13 | pF |
    | 静态导通电阻 (rDS(on)) | 24 (VGS=10V) | mΩ |
    | 开启延迟时间 (td(on)) | 6.6 到 13 | ns |
    | 关断延迟时间 (td(off)) | 18.2 到 33 | ns |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:最大 rDS(on) 在 VGS = 10 V 时为 24 mΩ,在 VGS = 4.5 V 时为 35 mΩ。
    2. 高可靠性:HBM ESD 保护水平 > 6 kV,确保器件的长期稳定运行。
    3. 高速开关:具有非常低的 Qg 和 Qgd,相比同类技术具有更快的开关速度。
    4. 热稳定性好:在广泛的温度范围内具有稳定的性能。
    5. 环保合规:符合 RoHS 标准,适用于绿色设计需求。

    应用案例和使用建议


    - 直流-直流转换:可用于各种电源模块中的直流-直流转换,实现高效能转换。
    - 逆变器:适合用于工业设备中的逆变电路,提高系统的整体效率。
    - 同步整流器:在开关电源中使用,减少导通损耗,提高系统效率。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 使用适当的栅极驱动电路以确保最佳的开关性能。
    - 考虑应用环境的温度变化,选择合适的封装和散热方式。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDB86102LZ 与其他标准栅极驱动电路兼容,可以方便地集成到现有的系统中。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户在使用过程中得到全面的帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确保正确的温度管理?
    A:在高温环境下工作时,应使用大尺寸散热片或散热器以增加散热面积。
    - Q:如何降低功耗?
    A:通过优化电路设计和选用合适的工作频率来降低功耗。
    - Q:如何应对静电放电(ESD)?
    A:在设计 PCB 时添加 ESD 保护措施,如 TVS 二极管。

    总结和推荐


    FDB86102LZ 是一款具有高可靠性和卓越性能的 N-Channel MOSFET。它在低损耗、高效率方面表现优异,适用于多种电力电子应用。无论是从性能指标还是市场竞争力来看,都是一款值得推荐的产品。建议在需要高效能转换的场合优先考虑使用 FDB86102LZ。

FDB86102LZ参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.275nF@50V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 8.3A,10V
通道数量 1
栅极电荷 21nC@ 10 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 8.3A,30A
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FDB86102LZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB86102LZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB86102LZ FDB86102LZ数据手册

FDB86102LZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 0.9089 ¥ 8.0436
1600+ $ 0.8243 ¥ 7.2949
4000+ $ 0.7525 ¥ 6.6594
8000+ $ 0.7309 ¥ 6.4688
库存: 800
起订量: 800 增量: 800
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