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NVHL095N65S3HF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 272W(Tc) 5V@ 860µA 66nC@ 10 V 1个N沟道 650V 95mΩ@ 18A,10V 36A 3.105nF@400V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: 488-NVHL095N65S3HF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVHL095N65S3HF

NVHL095N65S3HF概述

    # NVHL095N65S3HF MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVHL095N65S3HF 是安森美(onsemi)公司推出的最新一代高压超级结(SJ)功率MOSFET,属于SUPERFET III系列。这种MOSFET采用电荷平衡技术,旨在减少导通损耗、提高开关性能,并能承受极端的dv/dt速率。因此,它非常适合于需要小型化和高效率的各种电源系统。SUPERFET III HF版本特别适用于高速开关应用,因为它提供了快速恢复功能,从而改善效率。
    主要功能
    - 高电压耐受能力(最高可达700 V)
    - 低导通电阻(典型值为78 mΩ)
    - 超低门极电荷(典型值为66 nC)
    - 有效输出电容低(典型值为556 pF)
    应用领域
    - 汽车车载充电器(HEV-EV)
    - 混合动力和电动汽车(HEV-EV)的直流-直流转换器

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):650 V
    - 门源电压(VGSS):±30 V(连续),±30 V(交流,f > 1 Hz)
    - 持续漏电流(ID):36 A(TC = 25°C),22.8 A(TC = 100°C)
    - 脉冲峰值漏电流(IDM):90 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):440 mJ
    - 雪崩电流(IAS):4.6 A
    - 重复雪崩能量(EAR):2.72 mJ
    - MOSFET dv/dt:100 V/ns
    - 二极管反向恢复dv/dt:50 V/ns
    - 功耗(PD):272 W(TC = 25°C),2.176 W/°C(高于25°C)
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C至+150°C
    - 焊接最大引脚温度(TL):300°C(距外壳1/8英寸处,5秒)
    热特性
    - 热阻(RθJC):最大0.46°C/W(结至外壳)
    - 热阻(RθJA):最大40°C/W(结至环境)
    电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):在25°C和150°C时分别为650 V和700 V
    - 零门极电压漏电流(IDSS):10 μA
    - 门体泄漏电流(IGSS):±100 nA
    - 门限电压(VGS(th)):3.0至5.0 V
    - 导通电阻(RDS(on)):78 mΩ(典型值)
    - 前向跨导(gFS):19 S
    - 输入电容(Ciss):3105 pF
    - 输出电容(Coss):65 pF
    - 有效输出电容(Coss(eff.)):556 pF
    - 总门极电荷(Qg(tot)):66 nC
    - 关断延迟时间(td(off)):74.6 ns
    - 关断下降时间(tf):3.2 ns

    产品特点和优势


    独特功能
    - 超低导通电阻:典型值仅为78 mΩ,使得导通损耗最小化。
    - 超低门极电荷:典型值为66 nC,提高了开关频率和效率。
    - 快速恢复二极管:有效提升高频开关性能。
    - 高可靠性:100%经过雪崩测试,具有更高的可靠性。
    - 环保合规:无铅,无卤素/溴化物,RoHS符合标准。
    市场竞争力
    - 在汽车和工业应用中表现卓越,特别是在需要高效率和小型化的场合。
    - 支持高电压和大电流的应用,如汽车充电器和DC/DC转换器。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 汽车车载充电器(HEV-EV):适合高功率密度需求的场景,如电动汽车电池充电。
    - 汽车直流-直流转换器(HEV-EV):用于不同电压等级间的转换,要求高效率和可靠性。
    使用建议
    - 散热设计:由于功耗较高,需确保良好的散热措施以保持可靠运行。
    - 门极驱动:使用适当的门极电阻和驱动电路,避免过高的dv/dt导致的失效。
    - 测试和验证:在实际应用前,应进行充分的测试和验证,以确保在不同条件下的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 封装兼容性:TO-247长引脚封装,适用于广泛的安装和连接方式。
    - 其他元器件兼容性:与市场上常见的直流-直流转换器和其他电源模块兼容。
    厂商支持
    - 技术支持:安森美提供全球范围内的技术支持服务,包括电话和技术文档支持。
    - 文献获取:可通过官网下载详细的技术文档和用户手册。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何降低功耗?
    - 解决方案:优化门极驱动和增加散热设计,确保良好的热管理。
    2. 如何提高效率?
    - 解决方案:选择合适的驱动电路,减少开关损耗和导通损耗,确保门极电荷尽可能低。
    3. 如何延长使用寿命?
    - 解决方案:避免超过绝对最大额定值的操作条件,确保使用适当的热管理措施。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高可靠性,100%经过雪崩测试。
    - 适用于高电压和高电流应用,适合汽车和工业应用。
    - 环保合规,符合RoHS标准。
    - 缺点:
    - 功耗较高,需要良好的散热设计。
    推荐
    NVHL095N65S3HF MOSFET 是一款非常优秀的功率MOSFET,特别适用于汽车充电器和直流-直流转换器等需要高效率和小型化的应用。尽管它的功耗相对较高,但通过合理的散热设计和电路优化,可以充分发挥其优势。因此,我强烈推荐此产品。

NVHL095N65S3HF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 860µA
最大功率耗散 272W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 36A
栅极电荷 66nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.105nF@400V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 18A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 托盘,管装

NVHL095N65S3HF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVHL095N65S3HF数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVHL095N65S3HF NVHL095N65S3HF数据手册

NVHL095N65S3HF封装设计

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