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NVD5490NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.4W(Ta),49W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 60V 64mΩ@ 9A,10V 5A,17A 365pF@25V DPAK-3 贴片安装 2.38mm(高度)
供应商型号: FL-NVD5490NLT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5490NLT4G

NVD5490NLT4G概述

    NVD5490NL MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVD5490NL 是一款单片N沟道功率MOSFET,具有卓越的性能和广泛的应用范围。该器件的最大耐压为60V,典型导通电阻(RDS(on))在10V时为64mΩ,在4.5V时为85mΩ,最大连续漏极电流为17A。NVD5490NL 具备低导通电阻、高电流能力和指定的雪崩能量,使其适用于各种电力电子应用。

    技术参数


    以下是NVD5490NL的主要技术规格和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 60 | - | - | V |
    | 门源漏电流 | IDSS | - | 1.0 | 10 | μA |
    | 零门电压漏极电流 | ID | - | 17 | - | A |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | - | -100 | - | nA |
    | 门阈电压 | VGS(TH) | 1.5 | 2.5 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 64 | - | mΩ |
    | 前向跨导 | gFS | - | 15 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 365 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 91 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 46 | - | pF |
    | 门总电荷 | QG(TOT) | - | 7.8 | 14 | nC |
    | 开关延迟时间 | td(on) | 6.7 | - | - | ns |

    产品特点和优势


    NVD5490NL 的主要特点包括:
    - 低RDS(on),可显著降低导通损耗。
    - 高电流能力,确保稳定的电流输出。
    - 雪崩能量经过标定,提升可靠性。
    - AEC-Q101认证并具备PPAP生产能力,符合严格的汽车行业标准。
    - 无铅、无卤素、BFR-Free且符合RoHS标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    NVD5490NL 适用于多种电力电子应用,例如电机驱动、开关电源、DC-DC转换器等。以下是一些使用建议:
    - 在电机驱动系统中,建议选用合适的门极电阻(RG),以优化开关速度和减少EMI。
    - 在电源设计中,可以通过降低RDS(on)来提高能效,从而降低系统整体的热耗散。

    兼容性和支持


    NVD5490NL 采用DPAK封装,具有良好的热性能和可靠性。厂商提供了详细的文档和技术支持,包括数据手册、应用指南以及技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及解决方案:
    - 问题:长时间使用后出现过热现象。
    - 解决方案: 增加散热措施,如加装散热片或改进散热路径。
    - 问题:启动时出现异常。
    - 解决方案: 检查电源和电路连接,确保电源稳定和电路正确。

    总结和推荐


    综上所述,NVD5490NL 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻、高电流能力和良好的热性能。适用于各类电力电子应用,特别适合需要高效率和稳定性的场合。因此,强烈推荐使用NVD5490NL。

NVD5490NLT4G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 365pF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 14nC@ 10 V
配置 独立式
最大功率耗散 3.4W(Ta),49W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 5A,17A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 64mΩ@ 9A,10V
长*宽*高 2.38mm(高度)
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVD5490NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5490NLT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5490NLT4G NVD5490NLT4G数据手册

NVD5490NLT4G封装设计

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