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FDD8770

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 115W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 73nC@ 10V 1个N沟道 25V 4mΩ@ 35A,10V 35A 3.72nF@13V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FDD8770
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD8770

FDD8770概述

    FDD8770/FDU8770 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    FDD8770/FDU8770 是一款高性能的 N-Channel PowerTrench® MOSFET,适用于各类电源转换应用,特别是 DC/DC 转换器。它设计用于改善同步或常规开关 PWM 控制器的总体效率。这类产品广泛应用于桌面计算机和服务器的 Vcore DC-DC 转换器及中间总线架构(Intermediate Bus Architecture)的 VRM(Voltage Regulator Module)。

    技术参数


    以下是 FDD8770/FDU8770 的关键技术和性能参数:
    - 额定电压:VDS = 25V
    - 最大漏极电流:
    - 连续(封装限制):35A
    - 连续(芯片限制):210A
    - 脉冲:407A
    - 单脉冲雪崩能量:113mJ
    - 最大功率耗散:115W
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 到 175°C
    - 热阻抗:
    - 结到壳体:RθJC = 1.3°C/W
    - 结到环境:RθJA = 100°C/W(或在1平方英寸铜箔面积下为52°C/W)

    产品特点和优势


    FDD8770/FDU8770 拥有多项显著特点:
    - 低导通电阻:在 VGS = 10V, ID = 35A 条件下,最大导通电阻仅为 4.0mΩ;在 VGS = 4.5V, ID = 35A 条件下,最大导通电阻为 5.5mΩ。
    - 低栅极电荷:Qg(10) = 52nC(典型值)
    - 符合 RoHS 标准
    这些特点使得该 MOSFET 在高效率、快速开关速度和低损耗方面具有显著优势,使其成为高性能电源管理的理想选择。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的应用场景,FDD8770/FDU8770 可以广泛应用于以下场合:
    - 桌面计算机和服务器的 Vcore DC-DC 转换器
    - VRM 电路
    - 电池管理系统
    使用建议:
    1. 散热管理:由于最高功率耗散为 115W,建议在实际应用中进行有效的散热设计,如采用散热片或散热风扇。
    2. 驱动电路:由于低栅极电荷,建议采用适合高速开关的驱动电路以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDD8770/FDU8770 与现有电源管理电路和其他电子元器件兼容良好,可直接替换同类产品。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后维护服务,可通过其官方网站和技术支持热线获得进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何避免过热?
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如采用适当的散热片或风扇,并遵循器件的最大工作温度范围。

    - 问题二:如何减少栅极电荷影响?
    - 解决办法:选择合适的驱动器和门极电阻,以最小化栅极电荷的影响。

    总结和推荐


    综上所述,FDD8770/FDU8770 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高效、可靠的电子元器件,在电力转换应用中表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性使它在高效率和快速开关速度的应用中具有显著优势。对于需要高效率和可靠性的电源系统,我们强烈推荐使用此产品。
    如需进一步了解或订购该产品,请访问 ON Semiconductor 官方网站 www.onsemi.com。

FDD8770参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.72nF@13V
栅极电荷 73nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 35A,10V
Id-连续漏极电流 35A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 115W(Tc)
配置 独立式
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD8770厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD8770数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD8770 FDD8770数据手册

FDD8770封装设计

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