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FDS6990A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.6W 20V 3V@ 250µA 17nC@ 5V 2个N沟道 30V 18mΩ@ 7.5A,10V 7.5A 1.235nF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
供应商型号: MIK-FDS6990A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS6990A

FDS6990A概述

    FDS6990A Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

    1. 产品简介


    FDS6990A 是一款双N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。这种MOSFET专为低电压和电池供电的应用而设计,特别适用于需要低内阻损耗和快速开关性能的场合。它广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):30 V
    - 栅源电压(VGSS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):7.5 A
    - 单个操作的最大功耗(PD):1.6 W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 穿透电压(BVDSS):30 V
    - 门阈电压(VGS(th)):1 V 至 3 V
    - 静态漏源电阻(RDS(on)):18 mΩ(VGS = 10 V, ID = 7.5 A)
    - 转导率(gFS):33 S
    - 输入电容(Ciss):1235 pF
    - 输出电容(Coss):295 pF
    - 反向传输电容(Crss):120 pF
    - 总栅极电荷(Qg):12 nC 至 17 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高功率和电流处理能力:FDS6990A 具备高功率和电流处理能力,适用于需要高效能和可靠性的应用。
    - 低内阻:在10 V栅源电压下,RDS(on)仅为18 mΩ,保证了低内阻损耗。
    - 快速开关速度:快速开关速度有助于减少功耗和提高系统效率。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷减少了驱动功耗,提高了系统的整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:FDS6990A 广泛应用于电源转换器、电机驱动器、电池充电器和通信设备等。例如,在一个电池充电器应用中,FDS6990A 的低内阻和快速开关速度显著提高了充电效率。
    - 使用建议:为了最大化FDS6990A的性能,建议采用适当的散热措施以防止过热。此外,合理布局电路板上的元件,减少寄生电感和电容的影响,也有助于提高系统的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDS6990A 与标准SO-8封装兼容,方便集成到现有系统中。此外,ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、应用指南和技术咨询服务。用户可以通过访问官方网站获取最新的技术支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求,通常选择2 Ω至10 Ω之间的栅极电阻。如果需要降低开关速度以减少EMI,可以适当增加栅极电阻。

    - 问题2:如何确定最佳工作温度?
    - 解决方案:通过查阅数据手册中的温度特性曲线,确定器件在不同温度下的性能变化。在设计阶段考虑散热措施,确保器件在工作温度范围内正常运行。

    7. 总结和推荐


    FDS6990A是一款高性能的双N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的应用范围。其低内阻、快速开关速度和高功率处理能力使其成为电源管理和电机驱动领域的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和可靠性的应用场景。
    以上是对FDS6990A的详细技术手册内容的整理和总结,希望对您有所帮助。

FDS6990A参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 7.5A
通道数量 2
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.235nF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 7.5A,10V
栅极电荷 17nC@ 5V
最大功率耗散 1.6W
配置
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDS6990A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS6990A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS6990A FDS6990A数据手册

FDS6990A封装设计

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500+ $ 0.8749 ¥ 7.3319
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