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FDG8842CZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 360mW ±12 @ N Channel,-8V@ P Channel 1.5V@ 250µA 1.44nC@ 4.5V 2N+2P沟道 30V,25V 400mΩ@ 750mA,4.5V 750mA,410mA 120pF@10V SC-70-6,SC-88 贴片安装 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
供应商型号: Q-FDG8842CZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDG8842CZ

FDG8842CZ概述

    FDG8842CZ Complementary PowerTrench MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDG8842CZ 是一款互补型PowerTrench MOSFET,主要用于低电压应用。 这种MOSFET采用ON Semiconductor的高密度DMOS技术制造,特别设计用于替代双极晶体管和小信号MOSFET。它具有N-通道和P-通道两种型号,分别用于不同类型的电源转换和控制应用。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):N-通道(Q1)为30V,P-通道(Q2)为-25V。
    - 连续电流 (ID):N-通道(Q1)为0.75A,P-通道(Q2)为-0.41A。
    - 最大导通电阻 (rDS(on)):
    - N-通道(Q1):在4.5V时为0.4Ω,2.7V时为0.5Ω。
    - P-通道(Q2):在-4.5V时为1.1Ω,-2.7V时为1.5Ω。
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):N-通道(Q1)为0.65V至1.5V,P-通道(Q2)为-1.5V至-0.65V。
    - 总栅极电荷 (Qg):N-通道(Q1)为1.03nC,P-通道(Q2)为1.20nC。
    - 封装类型:SC70-6 封装,尺寸非常小。
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C。
    - 热阻 (RθJA):单个操作时为350°C/W(带有铜垫板)或415°C/W(最小铜垫板)。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (rDS(on)):确保在多种电压条件下的低损耗。
    - 非常低的门限驱动要求:可以直接在3V电路中使用,而不需要额外的偏置电阻。
    - 小型封装:SC70-6 封装占用面积小,适合紧凑设计。
    - RoHS 兼容:环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流到直流转换器:利用其低导通电阻和高效性。
    - 电机驱动器:提供稳定的电源供应。
    - 便携式设备:因其小尺寸和高效能,非常适合便携式设备的应用。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,需考虑栅极电容的影响,以优化开关性能。
    - 确保散热良好,特别是在高电流情况下。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:由于其广泛的电压和电流范围,可以与多种不同的电路和系统兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和文档资源,包括数据手册、应用笔记和技术指南,以便用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 导通电阻偏高。
    - 解决方案:检查驱动电压是否达到要求,确认栅极驱动电路无故障。

    - 问题2:发热过大。
    - 解决方案:增加散热措施,例如添加散热片或优化PCB布局以增强散热。

    7. 总结和推荐


    总体来说,FDG8842CZ 是一款优秀的MOSFET产品,适用于多种低电压和高频应用。其低导通电阻和小型封装使其在现代电子产品设计中具有很大的优势。尽管成本较高,但其高性能和耐用性使其物有所值。我们强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高效率和小体积的应用场合。
    以上是对FDG8842CZ Complementary PowerTrench MOSFET 的详细介绍。通过详细的技术参数和应用说明,希望帮助您更好地了解该产品的性能和应用潜力。

FDG8842CZ参数

参数
最大功率耗散 360mW
通道数量 2
FET类型 2N+2P沟道
Id-连续漏极电流 750mA,410mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V,25V
Vgs-栅源极电压 ±12 @ N Channel,-8V@ P Channel
配置
栅极电荷 1.44nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 750mA,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 120pF@10V
长*宽*高 2mm(长度)*1.25mm(宽度)
通用封装 SC-70-6,SC-88
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDG8842CZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDG8842CZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDG8842CZ FDG8842CZ数据手册

FDG8842CZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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6000+ ¥ 3.1019
9000+ ¥ 3.051
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