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NVMFS5826NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.6W(Ta),39W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 17nC@ 10V 1个N沟道 60V 24mΩ@ 10A,10V 8A 850pF@25V SO 贴片安装
供应商型号: 14M-NVMFS5826NLT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5826NLT1G

NVMFS5826NLT1G概述

    NVMFS5826NL 60V 24mΩ 26A 单个N沟道功率MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVMFS5826NL 是一款高性能的单个N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有紧凑的设计,小封装(5x6 mm),能够最小化传导损耗并简化电路设计。该产品广泛应用于电源管理、马达驱动及通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (Tmb = 25°C): 26 A, (Tmb = 100°C): 19 A
    - 功率耗散 (Tmb = 25°C): 39 W, (Tmb = 100°C): 19 W
    - 最大单脉冲漏极-源极雪崩能量 (TJ = 25°C, VDD = 24 V, VGS = 10 V, IL(pk) = 20 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω): 20 mJ
    - 引线温度 (1/8"从壳体10秒): 260°C
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10 V时 18 mΩ, VGS = 4.5 V时 24 mΩ
    - 门阈电压 (VGS(TH)): 1.5 V 至 2.5 V
    - 输入电容 (Ciss): 850 pF
    - 输出电容 (Coss): 85 pF
    - 转移电容 (Crss): 50 pF
    - 门总电荷 (QG(TOT)): VGS = 4.5 V, VDS = 48 V, ID = 10 A时 9.1 nC

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸:紧凑的5x6 mm封装适合在小型电路板上使用。
    - 低RDS(on):较低的导通电阻可以有效减少传导损耗,提高效率。
    - 低QG和电容:低门电荷和电容使得驱动损耗更小,从而提高系统的整体效率。
    - 湿气接触面(Wettable Flanks):提供了良好的焊接质量和可靠性。
    - 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力:满足汽车行业标准。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保材料。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:应用于开关电源和负载开关中,可以实现高效率的电源转换。
    - 马达驱动:适合于各种电机驱动应用,确保稳定的控制性能。
    - 通信设备:用于移动设备充电和电源管理。
    使用建议:
    - 在使用前需验证产品的工作温度范围以保证可靠性。
    - 配合合理的门极驱动电路,以优化MOSFET的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFS5826NL 支持多种应用场合,适用于广泛的电子系统设计。
    - 支持:制造商提供全面的技术文档和客户支持,确保用户的使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,MOSFET的性能有所下降。
    - 解决方法:选用更大散热面积的安装方式,以降低热阻。

    - 问题:驱动电压不足导致MOSFET不能完全开启。
    - 解决方法:增加驱动电路中的门极驱动电阻,确保足够的驱动电压。

    7. 总结和推荐


    NVMFS5826NL 以其紧凑的封装、优秀的电气特性和良好的性价比,在电源管理和马达驱动领域具有较高的竞争力。该产品的多种优势使其成为众多应用场景的理想选择。推荐在电源管理和电机驱动项目中使用此款MOSFET。

NVMFS5826NLT1G参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 17nC@ 10V
最大功率耗散 3.6W(Ta),39W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@25V
Id-连续漏极电流 8A
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVMFS5826NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5826NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5826NLT1G NVMFS5826NLT1G数据手册

NVMFS5826NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.7889
10+ ¥ 7.8761
30+ ¥ 6.9156
100+ ¥ 6.7235
300+ ¥ 6.4661
1000+ ¥ 6.2778
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