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HRFZ44N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 120W(Tc) 20V 4V@ 250µA 75nC@ 20 V 1个N沟道 55V 22mΩ@ 25A,10V 49A 1.06nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-HRFZ44N
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) HRFZ44N

HRFZ44N概述


    产品简介


    HRFZ44N是一款由Fairchild Semiconductor公司生产的N沟道超结功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它采用先进的UltraFET™工艺制造,能够提供极低的导通电阻和卓越的性能。这种晶体管在多种应用场合中表现出色,尤其是在电源效率要求高的场合,如开关调节器、转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及低电压总线开关等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):55V
    - 栅源电压(VGSS):±20V
    - 漏极连续电流(ID):49A
    - 脉冲漏极电流(IDM):160A
    - 脉冲雪崩额定值:0.227A²s
    - 功耗(PD):120W
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    电气特性
    - 关断状态
    - 漏源击穿电压(BVDSS):55V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1μA(VDS=50V, VGS=0V)
    - 栅源漏电流(IGSS):±100nA(VGS=±20V)
    - 导通状态
    - 栅阈值电压(VGS(TH)):2V~4V
    - 漏源导通电阻(rDS(ON)):0.019Ω~0.022Ω(ID=25A, VGS=10V)
    - 热特性
    - 结到外壳热阻(RθJC):1.25°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):62°C/W
    - 开关特性(VGS=10V)
    - 开启时间(tON):105ns
    - 开启延迟时间(td(ON)):12ns
    - 上升时间(tr):58ns
    - 关断延迟时间(td(OFF)):33ns
    - 下降时间(tf):33ns
    - 关断时间(tOFF):100ns
    - 栅电荷
    - 总栅电荷(Qg(TOT)):60nC~75nC
    - 栅电荷(Qg(10)):35nC~43nC
    - 门限栅电荷(Qg(TH)):2.0nC~2.5nC

    产品特点和优势


    1. 极低的导通电阻:0.022Ω,这使得该MOSFET能够在高频开关应用中实现高效能的电力传输。
    2. 出色的热管理:RθJC 和 RθJA 值表明其具备优秀的散热性能,有助于延长设备寿命。
    3. 高可靠性:可以承受高能量的雪崩模式,保证长时间稳定运行。
    4. 快速开关性能:短的上升时间和下降时间有助于减少能量损失,提升整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HRFZ44N广泛应用于电源管理和电动机控制领域。例如,在开关电源转换器中,它能显著降低损耗并提高整体效率。此外,在电池供电的便携式设备中,它可以有效管理功率以延长电池使用寿命。
    使用建议
    1. 确保良好的散热设计:考虑到其较高的功耗(120W),需要通过合适的散热措施来避免过热,比如加装散热片或风扇。
    2. 正确选择外围电路元件:特别是电容和电感的选择要合适,以优化系统性能并减少电磁干扰。
    3. 注意过压保护:由于其较高的漏源电压,需要配置适当的过压保护电路以防止损坏。

    兼容性和支持


    该产品与常见的PCB表面贴装技术兼容,订购时需指定完整型号(HRFZ44N)。Fairchild Semiconductor还提供了详细的指导文献和技术文档支持,帮助用户更好地理解和使用这款MOSFET。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断HRFZ44N是否正常工作?
    - 解决办法:可以通过测量其导通电阻(rDS(ON))来检查是否符合规范。若电阻过大,则可能存在问题。

    2. 问题:长时间使用后如何维护?
    - 解决办法:定期检查散热系统,保持良好的通风环境;必要时更换损坏的散热片或增加冷却措施。

    总结和推荐


    综上所述,HRFZ44N以其出色的性能和广泛的适用范围,在多个领域的电力管理系统中扮演着关键角色。其优异的导通电阻、热管理和快速开关特性使其成为设计师的理想选择。鉴于其高度可靠性和全面的技术支持,强烈推荐在涉及高效率电力管理的应用中使用此款MOSFET。

HRFZ44N参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 55V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 75nC@ 20 V
最大功率耗散 120W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 25A,10V
通道数量 1
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.06nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 49A
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

HRFZ44N厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

HRFZ44N数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR HRFZ44N HRFZ44N数据手册

HRFZ44N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3585 ¥ 3.0851
500+ $ 0.3551 ¥ 3.0571
1000+ $ 0.3452 ¥ 2.9169
5000+ $ 0.3452 ¥ 2.9169
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