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FQPF10N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 40W(Tc) 30V 5V@ 250µA 18nC@ 10V 1个N沟道 200V 360mΩ@ 3.4A,10V 6.8A 670pF@25V TO-220F 通孔安装
供应商型号: CY-FQPF10N20
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF10N20

FQPF10N20概述


    产品简介


    Fairchild Semiconductor 的 FQPF10N20 是一款 N 沟道增强模式功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistor)。该产品采用了 Fairchild 自主研发的平面条纹 DMOS 技术,特别设计以降低导通电阻(RDS(on)),提高开关性能,并在雪崩模式和换相模式下承受高能脉冲。
    这种晶体管适用于多种高性能应用场景,如高效率开关 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源的 DC-AC 转换器以及电机控制。

    技术参数


    - 最大电流:6.8 A
    - 最高电压:200 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.36Ω(VGS = 10 V)
    - 门极电荷(典型值):13.5 nC
    - 反向传输电容(典型值):13 pF
    - 快速开关
    - 全部通过雪崩测试
    - 改进的 dv/dt 能力

    产品特点和优势


    FQPF10N20 拥有以下几个显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:0.36Ω(VGS = 10 V),有效减少了在电路中的功率损耗。
    2. 快速开关:具有很低的门极电荷(13.5 nC)和反向传输电容(13 pF),这使得该晶体管具有优异的开关性能。
    3. 高可靠性:100% 雪崩测试,保证了在极端条件下的可靠运行。
    4. dv/dt 能力强:提高了瞬态响应速度,确保了在高速转换过程中的稳定性。
    这些特点使得 FQPF10N20 在高频转换器和电机控制等高要求应用场景中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQPF10N20 主要应用于高效率的开关 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源的 DC-AC 转换器和电机控制。
    - 开关 DC/DC 转换器:在转换过程中,能够高效地处理高电压和大电流,同时保持低功耗。
    - 开关电源:其快速开关特性使其非常适合用于高频转换器,提高了转换器的整体效率。
    - 不间断电源的 DC-AC 转换器:在频繁开关和高可靠性要求的应用环境中表现卓越。
    - 电机控制:低导通电阻和快速开关能力使得它能够在各种电机驱动场景中稳定运行。
    使用建议
    1. 选择适当的散热措施:考虑到较高的导通电阻,可能需要采取有效的散热措施来防止过热。
    2. 匹配合适的驱动电路:为了充分发挥其快速开关性能,建议使用合适的门极驱动电路。
    3. 考虑系统环境:在设计应用时,应考虑系统的整体环境和负载特性,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    FQPF10N20 的标准封装是 TO-220F,有三个引脚。该封装具有良好的机械稳定性和电气特性,适用于广泛的 PCB 设计。制造商提供全面的技术支持和文档资料,包括详细的 datasheet 和 PSPICE 模型。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:FQPF10N20 无法正常启动。
    - 解决方案:检查门极电压是否符合要求,确认连接正确且没有短路。
    2. 问题:运行过程中温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或采用外部风扇冷却系统,避免过热导致的损坏。
    3. 问题:导通电阻过高。
    - 解决方案:确认驱动电压是否达到规定的范围,检查是否有其他外部因素影响。

    总结和推荐


    FQPF10N20 是一款性能优越的 N 沟道增强模式功率场效应晶体管,其低导通电阻、快速开关能力和高可靠性使其成为高效率应用的理想选择。其广泛的适用范围和全面的技术支持使它在市场上具备较强的竞争力。
    总体而言,FQPF10N20 在多个关键指标上表现出色,特别是在高效率开关 DC/DC 转换器和电机控制领域,其性能足以满足甚至超越客户需求。因此,我强烈推荐使用 FQPF10N20。

FQPF10N20参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 670pF@25V
配置 独立式withbuilt-indiode
最大功率耗散 40W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 3.4A,10V
Id-连续漏极电流 6.8A
栅极电荷 18nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQPF10N20厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF10N20数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF10N20 FQPF10N20数据手册

FQPF10N20封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3495 ¥ 3.008
500+ $ 0.3463 ¥ 2.9807
1000+ $ 0.3366 ¥ 2.8439
5000+ $ 0.3366 ¥ 2.8439
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