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FGH40T120SQDNL4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi IGBT, 最大 1200 V, 最大 160 A
供应商型号: AV-S-ONSFGH40T120SQDNL4
供应商: Avnet
标准整包数: 30
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FGH40T120SQDNL4

FGH40T120SQDNL4概述

    FGH40T120SQDNL4 IGBT 技术手册解析

    1. 产品简介


    FGH40T120SQDNL4 是一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用Ultra Field Stop Trench技术,具有成本效益高且结构坚固的特点。它特别适用于需求苛刻的开关应用,能够提供低导通电压和最小化的开关损耗。FGH40T120SQDNL4 配备了一个软快速共封装的续流二极管,具有较低的正向电压降。此产品主要用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和焊接等应用。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - 集电极-发射极电压:VCES = 1200 V
    - 集电极电流:IC = 160 A
    - 续流二极管正向电流:IF = 160 A
    - 最大功率耗散:PD = 454 W @ TC = 25°C
    - 最大结温:TJmax = 175°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 焊接端子最高温度:TSLD = 260°C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻(IGBT):RθJC = 0.33 °C/W
    - 结至外壳热阻(二极管):RθJC = 0.61 °C/W
    - 结至环境热阻:RθJA = 40 °C/W
    - 电气特性
    - 输入电容:Cies = 5000 pF @ VCE = 20 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容:Coes = 140 pF
    - 门极电荷总量:Qg = 221 nC @ VCE = 600 V, IC = 40 A, VGE = 15 V
    - 门极到发射极电荷:Qge = 52 nC
    - 门极到集电极电荷:Qgc = 100 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效节能: 通过Ultra Field Stop Trench技术,FGH40T120SQDNL4能显著降低导通电压和开关损耗。
    - 宽泛的工作温度范围: 能够在-55°C 至 +175°C 的极端温度条件下稳定运行。
    - 快速恢复二极管: 内置的快速恢复续流二极管有效减少了反向恢复时间和反向恢复电荷。
    - 易于焊接和维护: 无铅设计,符合环保标准,确保可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 太阳能逆变器
    - 不间断电源(UPS)
    - 焊接
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需考虑散热问题,确保器件工作在安全范围内。
    - 为了优化效率,建议选择合适的门极电阻,以减少开关损耗。
    - 安装过程中要注意正确使用无铅焊接工艺。

    5. 兼容性和支持


    FGH40T120SQDNL4 支持无铅焊接工艺,保证了其在现代电子产品制造中的兼容性。制造商ON Semiconductor提供了广泛的技术支持,包括技术咨询、文献资料下载及客户定制支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高温度下工作时性能下降。
    - 解决方法: 使用散热片或风扇来提高散热效果,确保工作温度不超过规定值。
    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方法: 调整门极电阻,选择适合的门极驱动电路以降低开关损耗。

    7. 总结和推荐


    FGH40T120SQDNL4是一款专为高效率开关应用设计的高性能IGBT,特别适用于太阳能逆变器、UPS和焊接等领域。其优异的性能、宽泛的工作温度范围和坚固耐用的设计使其在市场上具有很强的竞争优势。综上所述,这款产品是高性能应用的理想选择,强烈推荐使用。
    通过以上解析,可以清楚地看到FGH40T120SQDNL4 IGBT在高要求的应用场合中的卓越性能和实用性。

FGH40T120SQDNL4参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 454W
配置 独立式
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 221nC
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
15.8mm(Max)
5.2mm(Max)
22.74mm(Max)
通用封装 TO-247-4
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

FGH40T120SQDNL4厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGH40T120SQDNL4数据手册

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FGH40T120SQDNL4封装设计

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