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FDB050AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=60 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FL-FDB050AN06A0
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB050AN06A0

FDB050AN06A0概述

    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 — N-Channel PowerTrench MOSFET

    产品简介


    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 是一款 N-Channel PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高性能功率转换应用设计。这些 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,使其成为各种电力系统中的理想选择。该产品广泛应用于服务器电源单元(PSU)、计算机外设、电机驱动器和不间断电源(UPS)等领域。

    技术参数


    以下是 FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | 栅极到源极电压 (VGS) | ±20 V |
    | 漏极到源极电压 (VDSS) | 60 V |
    | 漏极电流 (ID) | 80 A (连续) |
    | 雪崩能量 (EAS) | 470 mJ |
    | 最大漏源击穿电压 (BVDSS) | 60 V |
    | 最大栅极泄漏电流 (IGSS) | ±100 nA |
    | 门限电压 (VGS(TH)) | 2-4 V |
    | 导通电阻 (rDS(ON)) | 4.3 mΩ (Typ.) |
    | 总门电荷 (Qg(TOT)) | 61 nC |
    | 输入电容 (CISS) | 3900 pF |
    | 输出电容 (COSS) | 750 pF |
    | 反向转移电容 (CRSS) | 270 pF |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值仅为 4.3 mΩ,可以有效减少损耗,提高效率。
    - 高电流能力:最大连续漏极电流为 80 A,适用于高功率应用。
    - 低门电荷:门电荷为 61 nC,可降低开关损耗,加快响应速度。
    - 雪崩耐受能力:具有较高的单脉冲雪崩能量(EAS)和重复脉冲雪崩能量,能够承受瞬态过电压。
    - 反向恢复特性:低恢复时间和低恢复电荷,适合高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在计算机电源中作为同步整流器,提高效率。
    - 用于电机驱动器,实现高效的电机控制。
    - 在 UPS 中作为电池保护电路的关键组件。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,注意散热设计,确保良好的热管理。
    - 使用较低的栅极电压可以进一步降低导通电阻。
    - 在高频应用中,应注意门电荷和输出电容对电路性能的影响。

    兼容性和支持


    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 具有广泛的兼容性,适用于多种封装形式,如 TO-220 和 D2-Pak。制造商 ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和软件模型,帮助用户进行设计和验证。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热片或增强空气流通。
    2. 问题:设备在高电流下失效
    - 解决方案:确保正确的电路布局和布线,避免过大的寄生电感。
    3. 问题:设备的导通电阻变化
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否足够高,确保设备处于完全导通状态。

    总结和推荐


    FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 是一款性能优异的 N-Channel PowerTrench® MOSFET,适用于多种高功率应用。其低导通电阻、高电流能力和出色的雪崩耐受性使其在市场上具有很强的竞争力。通过合理的散热设计和正确使用,该产品可以在复杂的应用环境中表现出色。因此,强烈推荐在需要高效、可靠功率转换的系统中使用 FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0。

FDB050AN06A0参数

参数
最大功率耗散 245W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.9nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 80A,10V
Id-连续漏极电流 18A,80A
栅极电荷 80nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDB050AN06A0厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB050AN06A0数据手册

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FDB050AN06A0封装设计

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