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NTTFS3A08PZTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 840mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 56nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 6.7mΩ@ 12A,4.5V 9A 5nF@10V DFN 贴片安装
供应商型号: FL-NTTFS3A08PZTWG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS3A08PZTWG

NTTFS3A08PZTWG概述

    NTTFS3A08PZ Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS3A08PZ 是一款高性能单通道 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Semiconductor Components Industries 设计和制造。它具有低导通电阻和紧凑封装的特点,适用于电池开关、高侧负载开关和便携式产品中的电源管理应用,如媒体平板电脑、超极本计算机和手机。

    技术参数


    以下是 NTTFS3A08PZ 的关键技术参数:
    - 额定电压:VDSS = -20 V
    - 连续漏极电流:ID = -15 A (TA = 25°C),ID = -11 A (TA = 85°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = -46 A
    - 最大功率耗散:PD = 2.3 W (TA = 25°C),PD = 4.9 W (TA = 25°C, t ≤ 10 s)
    - 热阻抗:RθJA = 55°C/W (稳态),RθJA = 26°C/W (t ≤ 10 s)
    - 输入电容:CISS = 5000 pF
    - 阈值电压:VGS(TH) = -0.4 V 至 -1.0 V
    - 导通电阻:RDS(on) = 4.9 mΩ 至 6.7 mΩ (VGS = -4.5 V, ID = -12 A)

    产品特点和优势


    NTTFS3A08PZ 的核心优势包括:
    - 超低导通电阻:能够最大限度地减少传导损耗。
    - 小体积:采用 8FL 封装,尺寸仅为 3.3 x 3.3 x 0.8 mm,非常适合空间受限的应用。
    - 高可靠性:提供高达 5 kV 的人体模型静电放电保护。
    - 环保材料:无铅、无卤素、无 BFR,并且符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    NTTFS3A08PZ 广泛应用于各种电子设备中,特别是便携式设备。以下是一些典型的应用案例和使用建议:
    - 电池开关:在便携式设备中,NTTFS3A08PZ 可用于控制电池供电系统的通断,确保系统安全运行。
    - 高侧负载开关:在某些电路设计中,高侧开关可以提高系统效率,NTTFS3A08PZ 可以在此类应用中发挥重要作用。
    - 电源管理:在高精度电源管理系统中,NTTFS3A08PZ 的低导通电阻和小体积特性有助于提高系统的整体效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,可以根据图 9 中的电阻-开关时间关系来优化开关速度和功耗。
    - 为避免因温度过高导致损坏,在使用时应注意散热设计,确保器件工作在推荐的温度范围内。

    兼容性和支持


    NTTFS3A08PZ 与多种电路板兼容,具体兼容性信息可参考数据手册。制造商提供了丰富的技术支持和文档资源,包括在线技术支持(www.onsemi.com/support)和详细的产品文档。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题和解决方案,列出了以下几个常见问题及其解决方案:
    - Q: 器件过热?
    - A: 确保良好的散热设计,并使用合适的散热片或风扇来降低器件温度。
    - Q: 导通电阻异常增大?
    - A: 检查栅极电压是否达到阈值电压,确保正确的栅极驱动信号。
    - Q: 静电放电导致损坏?
    - A: 使用防静电手环或防静电垫进行操作,确保工作环境的安全。

    总结和推荐


    NTTFS3A08PZ 是一款高性能的单通道 P 沟道 MOSFET,具有超低导通电阻、紧凑封装和高可靠性等显著优点。其广泛的应用场景和可靠的性能使其成为电源管理和便携式设备设计的理想选择。因此,强烈推荐在需要高效、可靠电源管理的应用中使用 NTTFS3A08PZ。

NTTFS3A08PZTWG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 6.7mΩ@ 12A,4.5V
最大功率耗散 840mW(Ta)
栅极电荷 56nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 9A
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5nF@10V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTTFS3A08PZTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS3A08PZTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS3A08PZTWG NTTFS3A08PZTWG数据手册

NTTFS3A08PZTWG封装设计

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